半导体三极管及其放大电路选择题(答案).docVIP

半导体三极管及其放大电路练习卷

一、选择题

1.晶体管能够放大的外部条件是（C）。

a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏

c发射结正偏，集电结反偏

2.当晶体管工作于饱和状态时，其（A）。

a发射结正偏，集电结正偏b发射结反偏，集电结反偏c发射结正偏，集电结反偏

3.对于硅晶体管来说其死区电压约为（B）。

a0.1Vb0.5Vc0.7V

4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为（B）。

a0.1Vb0.3Vc0.5V

5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6Ma。则该管的β为（C）。

a40b50c60

6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能（A）。

a越好b越差c无变化

7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（A）

a高b低c一样

8.温度升高，晶体管的电流放大系数（A）。

a增大b减小c不变

9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|（B）

a升高b降低c不变

10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，（C）极的电位最低。

a发射极b基极c集电极

11.温度升高，晶体管输入特性曲线（B）

a右移b左移c不变

12.温度升高，晶体管输出特性曲线（A）。

a上移b下移c不变

12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔（C）。

a不变b减小c增大

12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是（A）

a两者无关b有关c无法判断

15.当晶体管的集电极电流IcmIc时，下列说法正确的是（C）

a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCMc晶体管的β一定减小

16.对于电压放大器来说，（）越小，电路的带负载能力越强（B）。

a输入电阻b输出c电压放大倍数

17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为（B）。

aNPN型锗管bPNP型锗管cPNP型硅管

18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管（C）

a处于饱和状态b放大状态c截止状态d已损坏

19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位（B）

a同相b反相c相差90度

20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真（A）。

a饱和b截止c饱和和截止

21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是（C）

a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高

23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（C）。

a输出功率b静态工作点c交流参数

25.既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路（A）。

a共射极b共集电极c共基极

26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是（C）。

a晶体管的电流放大系数太大b电源电压太高

c晶体管参数随环境温度的变化而变化

27.在放大电路中，直流负反馈可以（C）

a提高晶体管电流放大倍数的稳定性b提高放大电路的放大倍数

c稳定电路的静态工作点

28.可以放大电压，但不能放大电流的是_________放大电路（C）。

a共射极b共集电极c共基极

29.射极输出器无放大_________的能力（A）。

a电压b电流c功率

30.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是___放大电路（B）。

a共射极b共集电极c共基极

31.与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定（C）

a不变b变大c变小

32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4