（中石化）2025招聘笔试电气类专业知识点--模拟电路知识点讲义整理（电气类必看）_.docx

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模拟电路知识点讲义整理(电气类必看)

电子电路基础知识点讲义

1．模拟信号和数字信号

·模拟信号：时间连续、幅度连续的信号。

·数字信号：时间、幅度离散的信号

2．放大电路的基本知识

·输入电阻Ri：是从放大器输入口视入的等效交流电阻。Ri是信号源的负载，Ri从信号源吸收信号功率。

·输出电阻Ro：放大器在输出口对负载RL而言，等效为一个新的信号源(这说明放大器向负载RL输出功率Po)，该信号源的内阻

即为输出电阻。

·放大器各种增益定义如下：

端电压增益：A.V=

ssi源电压增益：A.VS=EQ\*jc3\*hps20\o\al(\s\up8(V.),V)o=RRA.

ssi

电流增益：A.I=

互导增益：A.G=

互阻增益：A.I=

负载开路电压增益(内电压增益)：A.V0=R→∞，A.V=R0RLA.V0

功率增益：AP=P0=|A.V||A.I|

Pi

P

·A.V、A.G、A.R、A.I的分贝数为20lgA.；Ap的分贝数为20lgAp。

·不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须AP1。

·任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种。

·频率响应及带宽：AV(jω)=VoVi或A.V=AV(ω)∠?(ω)

AV(ω)——幅频相应：电压增益的模与角频率的关系。

?(ω)——相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。

BW——带宽：幅频相应的两个半功率点间的频率差BW=fH?fL。

·线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真

·非线性失真：器件的非线性造成。

晶体二极管及应用电路

一、半导体知识

1．本征半导体

·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)和锗(Ge)，一些金属化合物也具有半导体的性质如砷化镓GaAs。前者是制造半导体IC的材料，后者是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料。

·本征半导体：纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。

·本征激发(又称热激发或产生)：在一定的温度下，本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，

本征激发越强。

·空穴：半导体中的一种等效+q载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定

向运动。

·复合：在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体

·在本征硅(或锗)中渗入微量5价(或3价)元素后形成N型(或P型)杂质半导体(P型，N型)。

·电离：在很低的温度下，N型(P型)半导体中的杂质会全部，产生自由电子和杂质正离子对(空穴和杂质负离子对)。

·载流子：由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。·在常温下，多子少子。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。

·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。

二、PN结

在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结。

·PN结(又称空间电荷区)：存在由N区指向P区的内电场和内电压；PN结内载流子数远少于结外的中性区(称耗尽层)；PN结内的电场是阻止结外两区的多子越结扩散的(称势垒层或阻挡层)。

·单向导电特性：正偏PN结(P区电位高于N)时，有随正偏电压指数增大的电流；反偏PN结(P区电位低于N区)，在使PN结击穿前，只有很小的反向。即PN结有单向导电特性(正偏导通，反偏截止)。

·反向击穿特性：当反偏电压达到一定值时，反向电流急剧增大，而PN结两端的电压变化不大。

·PN结的伏安方程为：i=IS(ev/V?1)，其中，在T=300K时，热温度当量VT26mV。

三、半导体二极管

·普通二极管内就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。

·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和0