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第三章参考答案
[1题]设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问:
该存储器能存储多少个字节的信息?
如果存储器由512K×8的SRAM芯片组成,需要多少片?
需要多少地址作为芯片选择?
[解]
(1)该存储器能存储220×32=220×22×8=222×8=4MB
(2)(1024K×32)/(512K×8)=(1024/512)×(32/8)=2×4=8(片)
(3)需要1根地址线作为片选。
CS
CS
CS
51
51
2K×8
2K×8
R/W
D31
~D0
A18
~A0
A19
[2题]已知某64位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若使用
4M×8位的DRAM芯片组成该机允许的最大主存空间,并选用模板块结构形式,问:
若每个模板块为16M×64位,共需要几个模板?
每个内存条共有多少片DRAM?
主存共需多少片DRAM?CPU如何选择各模块板?
[解]:
(1)226×64=26×220×64=64M×64=(64×1024K)×64
需要的板的块数=(64/16)×(64/64)=4(块)
每个内存条需要的4M×8位的芯片数
=(16/4)×(64/8)=32(片)
每个主存需要4X32=128(片)DRAM
板内地址为A0~A23,每个板需要一个片选,共需4个选择信号,所以用2-4译码器,即A24~A25作为译码地址线输入,产生4个板选信号。
[3题]用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器,要求:
画出该存储器的组成逻辑图。
设存储器读/写周期为0.5μs,CPU在1μs内至少要访问内存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新最大时间间隔是多少?全部刷新一遍所需要的实际刷新时间是多少?
(1)(64K×32)/(16K×8)=(64K/16K)×(32/8)
Y3(11)Y2(10)
Y3(11)
Y2(10)
Y1(01)
Y0(00)
CS
CS
CS
CS
16K×
16K×
16K×
16K×
8
8
8
8
R/W
D31
~D0
A13
~A0
A15
A14
2-4
译码器
(2)CPU要1μ内访问内存一次(频繁)整个存储器的平均读写与单个存储芯片的读写周期差不多,采用分散刷新方式比较合适。
16K采用128×128阵列,设刷新最大时间间隔为2ms=2000μS则刷新时间间隔为2000/128=15.6μS,所以刷新信号周期可取15μS.
刷新一次所用时间为128*15=1920μS=1.92mS
[4题]有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM芯片组成。问:
总共需要多少DRAM芯片?
此存储体组成框图。
采用分散刷新方式,如果单元刷新间隔不超过8 mS,则刷新周期
(一行)是多少?
解:
(1)需要(1024K/128K)×(32/8)=8(组)×4(片堆叠)=32(片)
(2)存储器组成框图
。。。Y2(010)Y1(001)
。。。
Y2(010)Y1(001)
Y0(000)
。。。
CS
CS
CS
CS
128K×
128K×
128K×
128K×
8
8
8
8
R/W
D31
~D0
A16
~A0
A19A18
A17
3-8
译码器
(3)新周期即单芯片刷新时间间隔
128K=27×210=217=28×29=256(行)×512(列)
刷新周期=8mS/256=8000μS/256=31.25μS
[5题]要求用256K×16位SRAM芯片设计1024K×32位的存储器,SRAM芯片有两
个控制端:当CS=0有效选中该片,当W/R?1执行读操作,W/R?0执行写操作。
解:
Y3(11)Y2(10)
Y3(11)
Y2(10)
Y1(01)
Y0(00)
CS
CS
CS
CS
2
2
2
2
56K×16
56K×16
56K×16
56K×16
2-4
译码器
R/WD31
~
D0
A17
~A0
A19
A18
[6题]用32K×8的EPROM组成128K×16位的只读存储器,试问:
数据寄存器多少位?
地址寄存器多少位?
总共需要多少片EPROM芯片?
画出此存储器组成框图。
解:
数据寄存器16位
地址寄存器17位
(3)共需要(128K/32K)×(16/8)=(4组字扩展)×(2片位扩展)=8(片)
Y3(11)Y2(10)
Y3(11)
Y2(10)
Y1(01)
Y0(00)
CS
CS
CS
CS
3
3
3
3
2K×8
2K×8
2K×8
2K×8
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