《Ti、Lu-Gd共掺杂对Bi2O3基氧离子导体电学性能的影响》.docx

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2025-01-06 发布于北京
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《Ti、Lu-Gd共掺杂对Bi2O3基氧离子导体电学性能的影响》

Ti、Lu-Gd共掺杂对Bi2O3基氧离子导体电学性能的影响一、引言

随着能源科技和材料科学的不断进步，对于高效、稳定和耐用的固体电解质材料的需求日益增加。在众多材料中，Bi2O3基氧离子导体因其高离子电导率、良好的化学稳定性和相对较低的成本，受到了广泛关注。为了进一步提高其电学性能，众多研究者对材料进行了一系列元素掺杂实验。本篇论文着重研究Ti、Lu/Gd共掺杂对Bi2O3基氧离子导体电学性能的影响。

二、Bi2O3基氧离子导体的基本性质

Bi2O3是一种重要的氧离子导体材料，其具有立方相晶体结构和高度的氧离子传输能力。然而，