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2025-01-07 发布于浙江
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BAS101-Q

High-voltageswitchingdiode

5April2024Productdatasheet

1.Generaldescription

High-voltageswitchingdiode,encapsulatedinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD

plasticpackage.

2.Featuresandbenefits

•Highswitchingspeed:t≤50ns

•Lowleakagecurrent

•Repetitivepeakreversevoltage:VRRM≤300

•Lowcapacitance:C≤2pF

•Reversevoltage:V≤300V

•SmallSMDplasticpackage

•QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

3.Applications

•High-speedswitching

•High-voltageswitching

•Voltageclamping

•Reversepolarityprotection

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Perdiode

IFforwardcurrent--200mA

IreversecurrentV=250V;T=25°C--150nA

RRamb

VRreversevoltage

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