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《中国宽禁带半导体材料行业深度洞察与战略前瞻报告》
一、核心观点
1.1宽禁带半导体:引领科技新潮流
宽禁带半导体材料以其独特的优势,正引领着科技新潮流。例如,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率等优点。这些特性使得宽禁带半导体器件能够承受更高的电压和电流,在高温、高频等恶劣环境下仍能稳定工作。在新能源汽车领域,SiC功率器件可以提高车辆的续航里程和动力性能;在智能电网领域,能提高电力传输效率和系统稳定性;在5G通信领域,可推动基站和移动终端等设备的性能提升。可以说,宽禁带半导体对各领域都有着重大的推动作用,行业前景十分广阔。
1.2
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