DFB半导体激光器中增益耦合型光栅结构的优化.pdfVIP

年第期

20183光通信研究2018.06

总第207期()

STUDYONOPTICALCOMMUNICATIONSSum.No.207

:/光电器件研究与应用

doi10.13756.tx.2018.03.008

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DFB半导体激光器中增益耦合型光栅结构的优化

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李嘉恒余建国陈远祥李依桐王任凡罗飚

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1.北京邮电大学电子工程学院北京1008762.武汉电信器件有限公司武汉430074

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摘要分布反馈DFB半导体激光器具有结构简单频谱稳定等优点在光通信领域具有十分广泛的应用DFB激光器在大

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电流条件下容易产生空间烧孔效应会导致单模特性不稳定为了抑制空间烧孔效应文章采用三相移以及节距调节CPM

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与分布耦合系数DCC相结合的CPM-DCC光栅结构对增益耦合系数进行优化一方面从理论上进行分析推导出了增益耦

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合系数的最优值另一方面从仿真和实验上验证了理论的正确性结果表明DFB激光器的阈值电流约为11mA边模抑制

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比达到41dB显著抑制了空间烧孔效应极大地提高了激光器阵列的线性指标

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关键词烧孔效应增益耦合CPM-DCC光栅结构

中图分类号:文献标志码:文章编号:()

TN256A1005-8788201803-0028-04

OtimizationofGain-CoulinGratinStructureinDFBSemiconductorLasers

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