集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年.pdfVIP

操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰

集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考

试题库2023年

1.画小信号等效电路时，恒定电流源视为。

答案:

开路

2.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。

答案:

增益

3.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。

答案:

输出摆幅

4.题1-1-1中国高端芯片联盟正式成立时间是：。

答案:

2016年7月

5.题1-1-2如下不是集成电路产业特性的是：。

答案:

低风险

6.题1-1-3摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：个月便会

增加一倍，性能也将提升一倍。

操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰

答案:

18

7.MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。

答案:

8.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。

答案:

电压控制电流源

9.下图中的MOS管工作在区（假定Vth=0.7V）。【图片】

答案:

饱和区

10.一个MOS管的本征增益表述错误的是。

答案:

与MOS管电流无关

11.工作在区的MOS管，其跨导是恒定值。

答案:

饱和

操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰

12.MOS管中相对最大的寄生电容是。

答案:

栅极氧化层电容

13.MOS管的小信号输出电阻【图片】是由MOS管的效应产生的。

答案:

沟长调制

14.题1-1-4摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展

主线的是：。

答案:

SoC

15.题1-1-5单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：。

答案:

VLSI

16.题1-1-6年发明了世界上第一个点接触型晶体管。

答案:

1947

17.题1-1-7年发明了世界上第一块集成电路。

答案:

1958

操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰

18.题1-1-8FinFET等多种新结构器件的发明人是：。

答案:

胡正明

19.题1-1-9集成电路代工产业的缔造者：。

答案:

张忠谋

20.题1-1-10世界第一块集成电路发明者：。

答案:

基尔比

21.MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。