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高精度磁控溅射镀膜设备通用技术要求

1范围

本文件规定了高精度磁控溅射镀膜设备的术语和定义、组成、技术要求、试验方法、包装、标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于极限压力在10-5Pa～10-3Pa范围的高精度磁控溅射镀膜设备（以下简称“设备”）。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

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3术语和定义

GB/T11164界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

高精度磁控溅射镀膜设备highprecisionmagnetronsputteringcoatingplant

以高精度的设计、加工工艺，实现高精度、高质量膜层控制，以磁控溅射为主要膜层沉积方式的真

空镀膜设备。

3.2

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离子源ion-beamsource

能使气体分子或中性原子电离，形成等离子体（或离子束）的装置。

3.3

射频感应耦合离子源RF-inductivelycoupledplasmasource

频率为13.56MHz的射频电源提供功率输入，借助电感线圈（射频天线）在真空腔内完成等离子体激发过程的装置。

3.4

离子源辅助反应磁控溅射（PARMS）plasma-assistedreactivemagnetronsputtering（PARMS）一种利用离子源提供的等离子体，辅助完成化合物薄膜沉积的方式。

3.5

光学膜厚控制系统opticalfilmthicknesscontrolsystem

由光源、光纤、探测器（光谱仪）、夹具盘构成，通过特定算法，可实时在线监精确测膜层厚度的系统。

4组成

4.1镀膜室，包括腔体、腔门、观察窗。

4.2抽气系统，包括各级真空泵、抽气管道、阀门，以及辅助设施，如冷阱、低温水气泵。

4.3气压测量系统，包括安装于抽气系统管道、镀膜室、及其它腔体上用于气压测量的各类压力计量仪（表）。

4.4镀膜系统，包括以下部件。

a）镀膜源，含：

1）溅射源，指溅射阴极及靶材；

2）离子源，起辅助沉积或激化反应作用的各类等离子体离子源。b）挡板。

c）掩模。

d）工艺气体导入系统。

e）光学膜厚控制系统。

f）镀膜工件架，含基片支架。g）偏压系统。

4.5电气程序控制系统。

4.6冷却水网络。

4.7动力用压缩空气网络。

5技术要求

5.1一般要求

5.1.1设备在符合GB/T11164—2011中4.1所列条件下，应能正常工作。

5.1.2镀膜室极限压力宜≤5.0×10-4Pa。对于设计有过渡腔的多腔室型设备，其过渡腔的极限压力应≤7×10-1Pa。

5.1.3镀膜室的升压率应≤5×10-1Pa。

5.1.4镀膜室从大气压开始排气至5×10-3Pa的用时应≤30min。

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5.2技术指标

5.2.1可同时装载靶材种类应不少于4种。

5.2.2镀膜工件架转速范围不小于（0～125）rpm。

5.2.3镀膜工件架满载基片后，转架悬臂伸出端热变形量应≤2mm。

5.2.4工件架停止位精度应不低于±0.02°。

5.2.5应具备镀膜基板加热功能，最高温度应不低于120℃。

5.2.6对于