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丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库
2023年
1.处于平衡态的PN结，其费米能级EF（）。
答案:
处处相等
2.由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的
势垒。
答案:
3.不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（）。
答案:
均为常数
4.正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域
内载流子出现（）过程占优。
答案:
丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫
复合
5.对突变PN结，反向电压很大时，可以略去，这时势垒电容与（）成反
比。
答案:
6.在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、
电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。
答案:
引入复合中心降低少子寿命
7.双极晶体管效应是通过改变（）。
答案:
正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流
8.在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为
（）。
丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫
答案:
9.在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。
答案:
反偏和反偏
10.为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
答案:
高浓度、深结深
11.ICBO代表(时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。)
答案:
发射极开路、集电结反偏
12.以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。
丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫
答案:
减小栅氧化层厚度
13.以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。
答案:
降低衬底掺杂浓度
14.以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。
答案:
增加衬底掺杂浓度
15.当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。
答案:
减小
16.MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。
丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫
答案:
漏源电导，跨导
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