光刻机行业产业链竞争格局市场空间及相关公司分析报告.pdfVIP

目录

行

业一、光刻机行业概述1

研二、市场空间及竞争格局4

究

报三、国内光刻机行业现状7

四、光刻机产业链10

告

五、光刻机相关公司14

六、光刻技术发展趋势及市场展望22

一、光刻机行业概述

慧1.光刻工艺

博

智（1）集成电路制造流程复杂，光刻为其中关键一环

能光刻（Lithography）是指在特定波长光线的作用下，将设计在掩膜版上的集成电路图形转移到硅片表

面的光刻胶上的技术工艺。为了完成图形转移，需要经历沉积、旋转涂胶、软烘、对准与曝光、后烘、

投显影、坚膜烘焙、显影检测等8道工序，检测合格后继续进行刻蚀、离子注入、去胶等步骤，并视需要

重复制程步骤，建立芯片的“摩天大楼”。

研

（2）光刻核心地位：1/2的时间+1/3的成本

随着芯片技术的发展，重复步骤数增多，先进芯片需要进行20-30次光刻，光刻工艺的耗时可以占到整

个晶圆制造时间的40%-50%，费用约占芯片生产成本的1/3。

2.光刻机

（1）曝光设备应用广泛，光刻机通常指用于芯片前道工艺的光刻设备

泛半导体光刻技术可分为直写光刻和掩模光刻，直写式光刻精度较低，多用于IC后道封装、低世代线

平板显示、PCB等领域；掩模光刻目前的主流形式为投影式，光刻精度高，可用于IC制造的前道工艺、

后道先进封装和中高世代线的FPD生产。

（2）光刻机单机价值量高，孕育千亿市场空间

2022年全球晶圆前道设备销售941亿美元，光刻机占17%，是IC制造的第三大设备，但却是单机价值

量最大的设备。据ASML财报测算，2022年单台EUV价格约1.8亿欧元，浸没式DUV约6500万欧

元。

3.光刻机技术发展历程

光刻机的技术演进主要分为以下几个阶段。

1）UV光刻机：用于0.25微米及以上制程节点，UV为紫外光，光源类型包括g-line、i-line等。

2）干式DUV光刻机：可用于65nm-0.35μm制程节点，干式DUV是指在光刻过程中使用干式透镜和

深紫外线光源，该技术在20世纪90年代初得到了广泛应用。

3）浸入式DUV光刻机：可用于7nm-45nm制程节点，随着芯片制造技术对先进制程的需求持续增加，

干式DUV光刻机已无法满足其精度要求。浸入式DUV光刻机通过把物镜与晶圆之间的填充由空气改变

为水，进而获得更高的数值孔径（NA），使光刻机具有更高的分辨率与成像能力。

4）Low-NAEUV光刻机：用于3nm-7nm制程节点，EUV为极紫外光，该光源的波长较此前光源明

显减小，显著提升光刻机的分辨率。

5）High-NAEUV光刻机：用于3nm以下制程节点，High-NA是指高数值孔径（0.33→0.55），是下

一代光刻机技术，将在已有EUV基础上进一步提高分辨率与成像能力，从而实现更先进制成的生产。

当前该技术由阿斯麦公司研发中，公司预计在2025年实现出货。

二、市场空间及竞争格局

1.高端EUV+ArFi光刻机市场规模较大

从出货结构来看，中低端KrF/i-line光刻机出货最多。2022年，ASML/Nikon/Canon三家头部光刻机

公司合计出货209台KrF和+193台i-line光刻机，KrF机台主要来自ASML，i-line主要来自Canon。

此外，浸没式光刻机可覆盖最广泛应用的28nm节点，全年出货85台，其中81台来自ASML；EUV

全年出货约40台。

从收入结构来看，高端机型贡献主要收入。据ASML的财报计算，EUV与ArFi光刻机的ASP远远高于

KrF和i-line光刻机，尽管高端机型出货量少于中低端光刻机，但总收入较高，市场规模较大。在

ASML的设备收入中，EUV+ArFi占比超8成。

2.EUV光刻市场高速成长

先进节点主要依赖EUV。7nm逻辑芯片中，ArFi机台的开支与EUV基本持平，但必威体育精装版的3nm工艺中，

EUV约占总光刻支出的70%；DRAM芯片发展到1α节点也开始依赖EUV，预计未来EUV在光刻机总

市场规模的占