湖北省武汉市武钢乌龙泉矿子弟中学高三物理模拟试卷含解析.docxVIP

湖北省武汉市武钢乌龙泉矿子弟中学高三物理模拟试卷含解析

一、选择题：本题共5小题，每小题3分，共计15分．每小题只有一个选项符合题意

1.（多选题）在地面附近，存在着一个有界电场，边界MN将空间分成上下两个区域I、II，在区域Ⅱ中有竖直向上的匀强电场，在区域I中离边界某一高度由静止释放一个质量为m的带电小球，如图甲所示，小球运动的图像如图乙所示，不计空气阻力，则（??）

A．小球受到的重力与电场力之比为3：5

B．在t=5s时，小球经过边界MN???

C．在小球向下运动的整个过程中，重力做的功大于电场力做的功

D．在1s～4s过程中，小球的机械能先减小后增大

参考答案：

AD

试题分析：小球进入电场前做自由落体运动，进入电场后受到电场力作用而做减速运动，由图可以看出，小球经过边界MN的时刻是t=1s时．故B错误．由图象的斜率等于加速度得小球进入电场前的加速度为：，进入电场后的加速度大小为：由牛顿第二定律得：mg=ma1…①

F-mg=ma2；得电场力：F=mg+ma2=mv1＝ma1…②；由①②得重力mg与电场力F之比为3：5．故A正确．整个过程中，动能变化量为零，根据动能定理，整个过程中重力做的功与电场力做的功大小相等．故C错误．整个过程中，由图可得，小球在0-2.5s内向下运动，在2.5s-5s内向上运动，在1s～4s过程中，小球的机械能先减小后增大电场力先做负功，后做正功．电势能先增大，后减小；由于整个的过程中动能、重力势能和电势能的总和不变，所以，小球的机械能先减小后增大．故D正确．故选AD.

考点：牛顿第二定律；机械能守恒定律

2.一个半径较大的透明玻璃球体，截取其下面的一部分，然后将这一部分放在标准的水平面上，形成牛顿环装置，现让单色光竖直射向上方的水平截面，如图所示，从上方观察时可以看到的现象及该现象的分析下列分析正确的是???（????）

A、可以观察到同颜色的平行反射光

B、可以观察到环形的明暗相间的同心圆环

C、该现象是由玻璃球体的下表面和水平面的反射光干涉形成的

D、若将玻璃球体的半径在增大一些，形成的同心圆环的间距增大

参考答案：

BCD

3.如图，P为桥墩，A为靠近桥墩浮出水面的叶片，波源S连续振动，形成水波，此时叶片A静止不动。为使水波能带动叶片振动，可用的方法是

A．提高波源频率???????????????????????????????B．降低波源频率

C．增加波源距桥墩的距离????????????????????????D．减小波源距桥墩的距离

参考答案：

B

叶片A之所以不动，是因为水波不能绕过桥墩传过来，也就是说水波衍射不太明显，而发生明显衍射的条件是，障碍物的尺寸也波长小或差不多，所以要让叶片A动起来方法只能是减小桥墩的民族尺寸或增大水波的波长，水波的速度一定，减小频率会增长波长，增大频率会减小波长，故A错误，B正确；改变波源与桥墩的距离不会让衍射现象更明显，所以C、D错误。

【考点定位】波的衍射

【名师点睛】本题考查波的衍射，意在考查考生对波的衍射现象的理解能力和运用所学知识解决实际问题的能力。发生明显衍射的条件是障碍物的尺寸也波长小或差不多。要让衍射明显，要么增大波长，要么减小障碍物的尺寸。

4.

（单选）如图所示，一质量为m、电荷量为q的带电粒子，从y轴上的P1点以速度v射入第一象限所示的区域，入射方向与x轴正方向成α角．为了使该粒子能从x轴上的P2点射出该区域，且射出方向与x轴正方向也成α角，可在第一象限适当的地方加一个垂直于xOy平面、磁感应强度为B的匀强磁场．若磁场分布为一个圆形区域，则这一圆形区域的最小面积为（不计粒子的重力）（）

A．

B．

cos2α

C．

sinα

D．

sin2α

参考答案：

解：粒子在磁场中做匀速圆周运动，洛伦兹力提供向心力，

由牛顿第二定律得：qvB=m，

则粒子在磁场中做圆周的半径：R=，

由题意可知，粒子在磁场区域中的轨道为半径等于r的圆上的圆周，

这段圆弧应与入射方向的速度、出射方向的速度相切，如图所示：

则到入射方向所在直线和出射方向所在直线相距为R的O′点就是圆周的圆心．粒子在磁场区域中的轨道就是以O′为圆心、R为半径的圆上

的圆弧ef，而e点和f点应在所求圆形磁场区域的边界上，在通过e、f两点的不同的圆周中，最小的一个是以ef连线为直径的圆周．

即得圆形区域的最小半径r=Rsinα=，

则这个圆形区域磁场的最小面积Smin=πr2=；

故选：D．

5.如图所示为演示薄膜干涉现象的实验装置，P是附有肥皂膜的铁丝圈，S是一点燃的酒精灯。往火焰上洒些盐后，就可以在薄膜上看到火焰的反射像。以下说法正确的是[jf4]?（????）

（A）从左侧向右可以看到干涉条纹

（B）干涉条纹