模拟电子技术课件(完整版).ppt

第1章半导体器件

第2章基本放大器

第3章负反馈放大器

第4章模拟集成电路

第5章低频功率放大器

第6章信号产生电路

第7章直流稳压电源

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第1章半导体器件

教学目的

了解半导体的导电特性。

理解PN结的形成机理，掌握PN结

的主要特性。

理解BJT和FET的工作原理，掌握

其主要特性及参数。

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第1章半导体器件

1.1半导体

1.2PN结与二极管

1.3晶体三极管

1.4场效应管

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1.1半导体

1.1.1本征半导体

1.1.2掺杂半导体

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1.1半导体

在电子技术领域，常用的半

导体材料有硅（Si）和锗

（Ge）。它们都是四价元素，

在元素表中分别是14号和32

号元素。某一元素的导电特

性主要与其价电子有关，因

此，四价原子的结构图如图

四价原子结构简化图

所示。

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1.1.1本征半导体

1．本征半导体的晶体结构

纯净而且结构完整的半导体称为本征半导体。

如图（a）所示的现象称为价电子的共有化运

动。图（b）所示，是共价键示意图。

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1.1.1本征半导体

（）共价键示意图

（a）价电子的共有化运动b

图价电子的共有化及共价键

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1.1.1本征半导体

每个硅或锗原子都有四

个价电子，它们可以与

相邻的四个原子形成完

整的共价键。从而使半

导体的所有原子通过共

价键的作用，紧密地结

合在一起，形成一个坚

固的晶体，如图所示。本征半导体的晶体结构示意图

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1.1.1本征半导体

2．本征半导体的导电特

性

本征半导体中有自由电子

和空穴两种载流子，如图

所示。图中的空心圈代表

空穴，键外的黑点代表自

由电子。

本征半导体的自由电子和空穴

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1.1.2掺杂半导体

1．N型半导体

在本征半导体中掺入微量的五价

元素，如磷、砷、锑等，就形成

N型半导体。由于掺入的五价元

素微量，所以，半导体的晶体结

构基本不变，只是在个别的位置

上，某个硅（或锗）原子被五价

原子取代，如图所示。N型半导体晶体结构示意图

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1.1.2掺杂半导体

2．P型半导体

在本征半导体中掺入微量的三价

元素，如硼、铝、铟等，就形成

P型半导体。由于掺入的三价元

素微量，所以，半导体的晶体结

构基本不变，只是在个别的位置

上，某个硅（或锗）原子被三价

原子取代，如图所示。P型半导体晶体结构示意图

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1.1.2掺杂半导体

3．掺杂半导体的温度特性

掺杂半导体的多数载流子浓度受温度的影响很

小，主要由掺杂浓度决定。

掺杂半导体中的少数载流子完全由热激发产生。

温度发生变化，热激发与复合的程度都会随之

变化，因此，掺杂半导体中的少子浓度受温度

的影响很大。

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1.2PN结与二极管

1.2.1PN结的形成

1.2.2PN结的偏置方式

1.2.3PN结的单向导电特性

1.2.4PN结的击穿特性

1.2.5PN结的电容效应

1.2.6常用二极管

1.2.7其他二极管

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