《集成电路制造工艺与工程应用》第三十二讲.pptxVIP

第三十二讲：纳米工艺制程技术;内容;钝化层工艺

钝化层开窗工艺

;钝化层工艺;钝化层工艺：是指淀积USG和Si3N4形成钝化层，钝化层可以有效地阻挡水汽和可移动离子的扩散，从而保护芯片免受潮、划伤和粘污的影响。

淀积SiO2。通过PECVD淀积一层厚度约为1000?SiO2。淀积的方式是利用TEOS在400℃发生分解反应形成二氧化硅淀积层。SiO2可以保护金属，防止后续的HDP工艺损伤金属互连线。;淀积PSG。通过HDPCVD淀积一层约8000?含磷的SiO2保护层。HDPCVD的台阶覆盖率非常好。该层SiO2保护层可以防止水汽渗透进来，加磷的主要目的是吸附杂质。

淀积Si3N4。通过PECVD淀积一层约12K?Si3N4。利用硅烷（SiH4）、N2和NH3在400℃的温度下发生化学反应形成Si3N4淀积。Si3N4的硬度高和致密性好，它可以防止机械划伤的同时也防止水汽、钠金属离子渗入。;钝化层开窗工艺;;量测钝化层窗口的套刻。收集曝光之后的钝化层窗口光刻与TM的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。;钝化层窗口刻蚀。利用干法刻蚀将没有被光刻胶覆盖的区域的钝化层去除，形成绑定的窗口，作为顶层金属接受测试的连接窗口，或者是封装线的连接窗口。保留有光刻胶区域的钝化层。刻蚀的气体是CHF3和CF4。刻蚀最终停在TiN上防止损伤顶层金属。终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物锐减。;去光刻胶。干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。;退火和合金化。通过高温炉管，在400℃左右的高温环境中，通入H2和N2，时间是30分钟。目的是使金属再结晶，改善金属层与氧化硅的界面，使它们跟紧密，减少欧姆接触的电阻值，减小接触电阻。改善钝化层的结构使钝化层增密，释放金属的应力。

WAT测试。通过测试程序测试每片圆片上、下、左、右和中间五点的PCM电性参数数据。检查它们是否符合产品规格，如果不符合规格，不能出货给客户。通过收集这些数据可以监控生产线上的情况。

出厂检查。FAB生产出厂的最后检查，生产人员通过显微镜的随机检查，是否有划伤。

;谢谢