半导体制造工艺流程案例解析.docVIP

半导体制造工艺流程案例解析

TOC\o1-2\h\u32380第一章半导体制造概述 2

156431.1半导体材料简介 2

187891.2半导体器件分类 3

2241第二章硅片制备 3

102242.1硅锭生长 3

217072.1.1提拉法（Czochralskimethod） 4

21632.1.2区熔法（FloatZonemethod） 4

293112.1.3其他方法 4

190062.2硅片切割 4

211312.2.1切割准备 4

223932.2.2切割过程 4

189082.2.3硅片检测 4

79702.3硅片清洗 5

189972.3.1超声波清洗 5

306512.3.2酸洗 5

52712.3.3热水清洗 5

308902.3.4甩干 5

23469第三章光刻工艺 5

18833.1光刻胶的选择与应用 5

160953.1.1光刻胶的选择 5

324113.1.2光刻胶的应用 6

27463.2光刻曝光 6

189033.2.1曝光原理 6

209343.2.2曝光方式 6

233143.3光刻显影与去除 7

187083.3.1显影 7

229953.3.2去除 7

28148第四章刻蚀工艺 7

67594.1湿法刻蚀 7

263024.2干法刻蚀 8

102654.3选择性刻蚀 8

24216第五章离子注入 9

169825.1离子注入原理 9

237015.2离子注入过程 9

276145.3离子注入工艺优化 9

22693第六章化学气相沉积 9

256976.1CVD基本原理 9

95146.2CVD工艺流程 10

266956.3CVD工艺改进 10

14906第七章物理气相沉积 11

121447.1PVD基本原理 11

60937.1.1蒸发 11

110517.1.2溅射 11

241617.1.3离子束沉积 11

175957.2PVD工艺流程 11

312107.2.1准备工作 11

105237.2.2真空系统准备 12

227817.2.3靶材准备 12

214817.2.4蒸发或溅射 12

150017.2.5离子束沉积 12

231997.2.6薄膜后处理 12

120307.3PVD工艺优化 12

170177.3.1工艺参数优化 12

31847.3.2靶材选择与制备 12

160677.3.3离子束参数优化 12

242797.3.4薄膜后处理优化 12

25186第八章蚀刻与钝化 13

208918.1蚀刻工艺 13

263228.1.1湿法蚀刻 13

197628.1.2干法蚀刻 13

317348.2钝化工艺 13

36318.2.1化学钝化 13

285148.2.2电化学钝化 13

271068.3蚀刻与钝化质量控制 13

120448.3.1蚀刻质量控制 14

216928.3.2钝化质量控制 14

2704第九章封装测试 14

84739.1封装工艺 14

285109.2测试方法 14

248669.3封装测试标准 15

32653第十章半导体制造发展趋势 15

2786710.1先进制程技术 15

824010.2三维集成电路技术 16

2192510.3未来发展趋势 16

第一章半导体制造概述

1.1半导体材料简介

半导体材料是现代电子工业的基础，其主要特性是导电功能介于导体和绝缘体之间。在半导体制造工艺中，半导体材料的选用，因为它直接决定了器件的功能和可靠性。常见的半导体材料主要包括硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。

硅是最常用的半导体材料，具有资源丰富、成本较低、工艺成熟等优点。硅材料的电子迁移率较低，但能满足大多数电子器件的功能要求。锗材料的电子迁移率较高，适用于高速电子器件，但成本相对较高。砷化镓材料具有更高的电子迁移率，适用于高频、高速电子器件，但成本较高且资源有限。

1.2半导体器件分类

半导体器件是利用半导体材料的特性来实现电子器件功能的装置。根据器件的结构和功能，半导体器件可以分为以下几类：

（1）二极管：二极管是最简