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第三十七讲：晶圆接受测试（WAT）;内容;PN结参数的测试条件
电容Cjun的测试条件
击穿电压Bvjun的测试条件
;CMOS工艺技术平台的PN结的测试结构是n型二极管和p型二极管的二极管结构，它们的版图尺寸是依据工艺技术平台的设计规则设计的。
对于n型二极管，它是两端器件，它的两个端口阴极（n型有源区）和阳极（PW）分别连到PAD_N和PAD_P。对于p型二极管，它是二端器件，它的二个端口阳极?（p型有源区）和阴极（NW）分别连到PAD_P和PAD_N。WAT测试机器通过这二个端口把电压激励信号加载在二极管?二端，从而测得所需的电性特性参数数据。;CMOS工艺技术平台是同时依靠STI和PN结进行隔离的，所以PN结在整个工艺流程里也是非常关键，芯片代工厂利用二极管的参数电容（Cjun）和击穿电压（BVjun）来监测它们。?
;测量n型和p型二极管的电容Cjun的基本原理是在二极管的一端加载AC100KHz扫描电压，另一端接地，从而测得电容C，Cjun=C/Area，Area是电容的面积。
测量n型二极管电容Cjun，首先在n型二极管的一端n型有源区上加载AC100KHz（VDD或者VDDA）扫描电压，另一端PW上接地，从而测得电容C，Cjun=C/Area。
测量p型二极管电容Cjun，首先在p型二极管的一端NW衬底上加载AC100KHz（VDD或者VDDA）扫描电压，另一端p型有源区上接地，从而测得电容C，Cjun=C/Area。;测量n型和p型二极管的击穿电压Bvjun的基本原理是在二极管的一端加载反向电压，另一端接地，从而测得漏电流Ib，得到单位面积的电流强度Ib/Area，当电流强度达到100pA/um*2时，PN结被电压击穿。此时加载在二极管两端的电压就是击穿电压。
测量n型二极管击穿电压BVjun，首先在n型二极管一端n型有源区加载DC扫描电压，Vb从0V到12V，另一端PW接地，测得漏电流Ib，得到Vb在Ib/Area=100pA/um*2时的值，BVjun=Vb?就是击穿电压。
测量p型二极管击穿电压BVjun，首先在p型二极管一端NW加载DC扫描电压，Vb从0V到12V，另一端p型有源区接地，测得漏电流Ib，得到Vb在Ib/Area=100pA/um*2时的值，BVjun=Vb?就是击穿电压。;影响PN结电容的因素包括以下几方面：
阱离子注入异常；
N+或者P+离子注???异常；
离子注入退火异常；
AA刻蚀尺寸异常；;谢谢
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