《集成电路制造工艺与工程应用》第四十三讲.pptxVIP

第四十三讲：晶圆接受测试（WAT）;内容;CMOS工艺技术平台的电容包括MIM和PIP（PolyInsulatorPoly）。PIP主要应用在0.35u及以上的亚微米及微米工艺技术，MIM主要应用在0.35u及以下的深亚微米工艺技术，纳米工艺技术会用到MOM(MetalOxidMetal)，这章节内容没有讲述MOM。它们的测试结构版图尺寸是依据工艺技术平台的设计规则设计的。;电容的测试结构;测量MIM和PIP电容的基本原理与测量MOS晶体管器件栅极氧化层电容类似，它的基本原理是在电容的上极板加载AC100KHz扫描电压，下极板接地，从而测得电容C，Cjun=C/Area，Area是电容的面积。

PIP电容的测量方法是在电容的上极板加载AC100KHz（VDD或者VDDA）扫描电压，下极板和衬底接地。MIM电容的测量方法是在电容的上极板加载AC100KHz（VDD或者VDDA）扫描电压，下极板接地。分别测得它们的电容C，那么单位面积的电容CPIP或者CMIM=C/Area。”;影响MIM和PIP电容的因素包括以下几方面：

PIP和MIM的刻蚀尺寸异常；

PIP和MIM的电介质厚度异常。;测量MIM和PIP电容击穿电压的基本原理与测量MOS晶体管器件栅极氧化层击穿电压类似，它的测量原理在电容的上极板加载DC扫描电压，另一端接地，从而测得漏电流Ib，当漏电流达到10pA*Area时，电容被电压击穿，此时加载在电容两端的电压就是击穿电压。

测量PIP电容击穿电压的基本方法是在PIP电容上极板加载从0V到40V的DC扫描电压，下极板接地，衬底悬空，从而测得漏电流Ib，得到Vb在漏电流达到Ib/Area=100pA/um*2时的值就是PIP电容击穿电压BVPIP。

测量MIM电容击穿电压的基本方法是在MIM电容上极板加载从0V到40V的DC扫描电压，下极板接地，从而测得漏电流Ib，得到Vb在漏电流强度达到Ib/Area=100pA/um*2时的值就是MIM电容的击穿电压BVMIM。;影响MIM和PIP电容击穿电压的因素包括以下几方面：

PIP和MIM的电介质厚度异常。;谢谢