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摘要
摘要
化学机械抛光（Chemicalmechanicalpolishing,CMP）是一种通过化学蚀刻
和机械磨削双重作用实现光滑平整表面的纳米材料去除技术。抛光磨料作为
CMP中重要的组成部分，是实现高抛光精度的关键材料。在众多抛光磨料中，
CeO2具有熔点高、硬度大、抗腐蚀性好等特点，被誉为“抛光粉之王”。但随
着对器件表面加工精度要求的不断提升，常规的CeO2磨料逐渐无法满足行业
的需求。因此
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