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摘要
摘要
PECVD
与传统的等离子体增强化学气相沉积（）不同，利用热丝化学气相
HWCVD
沉积（）制备硅基薄膜具有镀膜质量高、镀膜速度快、无绕镀等方面的
优势。在利用HWCVD制备硅基薄膜的过程中，衬底上的温度分布均匀性和内
部流场分布规律对硅基薄
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