中微公司(688012)深度报告：刻蚀设备领军企业，内生外延打造平台型公司.pptxVIP

;;资料来源：公司官网、公司公告、国海证券研究所;公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备相关业务，产品包括等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备和MOCVD设备等：

半导体设备：公司主打产品为等离子体刻蚀设备，此外公司还布局了薄膜设备（主要为化学薄膜和外研设备）和检测设备；

泛半导体设备：产品以MOCVD设备为主，主要应用于发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等三五族化合物半导体器件的生产；

非半导体设备：公司积极探索环境保护、健康领域等新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域均取得了进展。;;资料来源：wind、国海证券研究所;公司加大研发力度，为持续增长奠定基础。随着公司营收规模的持续增长，2019-2024年前三季度公司销售、管理、研发费用率呈现下降趋势；研发费用方面，公司重视创新，2019-2023年研发费用率基本维持在13%上下；2024年公司新设备需求快速增长，研发支出增加较多，前三季度研发费用率达到16.6%。

公司新签订单持续提升。2020-2023年，公司新签订单由21.68亿元提升至83.6亿元，复合增长率为56.82%，2024年前三季度新增订单为76.4亿元，同比增长约52%，其中刻蚀设备新增订单62.5亿元，同比增长约54.7%，新产品LPCVD新增订单3亿元，开始启动放量。;2、CCP刻蚀国产龙头，ICP刻蚀稳步突破;刻蚀是芯片制造的重要工序之一，按照工艺可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种。湿法刻蚀主要利用腐蚀剂进行刻蚀，在线宽控制以及刻蚀方向性等方面存在局限性，3μm之后的工艺大多采用干法刻蚀，根据华经产业研究院数据，2021年全球干法刻蚀市场规模占比在90%以上，是当前主流技术。

干法刻蚀按照刻蚀的材料不同可以分为介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀。针对不同材料的刻蚀设备，其市场占比会随着工艺技术的发展出现此消彼长的情况，例如30nm之后的工艺中出现的多重图形技术使得硅刻蚀的占比快速增加。根据智研咨询数据，2022年中国刻蚀设备市场中，介质刻蚀和硅刻蚀占比分别为50.6%和45.6%，应用较为广泛。;资料来源：《集成电路产业全书》王阳元等、中微公司招股书、国海证券研究所;由???刻蚀工艺较为复杂，技术壁垒较高，海外巨头泛林半导体、东京电子、应用材料等占据了市场的主要份额，根据华经产业研究院的数据，2020年三者合计市占率为90.25%，市场集中度较高。国产厂商北方华创、中微公司在刻蚀设备领域均有所突破，目前已在国内晶圆厂产线上实现规模化应用。

全球半导体刻蚀设备市场规模预计将实现稳健增长。根据BusinessResearchInsights的数据，全球刻蚀设备市场规模将由2023年的207.4亿美元增长至2032年的321.7亿美元，年均复合增速为5%。;先进制程芯片的多重曝光需求使得刻蚀设备的重要性进一步提升。随着国际上先进芯片制程从7-5nm阶段向更先进工艺方向发展，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺进行曝光，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸；

NAND进入3D时代，其层数增加要求刻蚀技术实现更高深宽比，带动刻蚀设备需求进一步加大。3DNAND增加集成度主要是通过增加堆叠层数，因此刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上加工40:1到60:1甚至更高的极深孔或极深的沟槽。;;3、薄膜沉积设备顺利推进，量测检测设备持续布局;薄膜沉积是指采用物理或化学方法在衬底材料上沉积一层待处理的薄膜材料，根据工作原理不同可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积

（CVD）和原子层沉积（ALD）等：

物理气相沉积（PVD）：是指利用物理方法，如真空蒸发、溅射镀膜等方式在晶圆表面形成薄膜。在超大规模集成电路产业中，使用最广泛的是溅射镀膜，其在高度真空下，将稀有气体在外加电场作用下电离成离子，在高电压下轰击靶材，撞出靶材的分子或原子并使其抵达晶圆表面形成薄膜，主要应用于集成电路的电极和金属互联。根据Gartner数据，2020年PVD设备市场占比约为19%，随着集成电路集成度不断提高，多层金属布线的层数越来越多，PVD工艺的应用也将更为广泛。

化学气相沉积（CVD）：是指不同分压的多种气相状态反应物在一定温度和气压下发生化学反应，生成的固态物质沉积在衬底材料表面从而获得薄膜。根据Gartner数据，2020年CVD设备市场占比约为66%。

原子层沉积（ALD）：是指通过单原子膜逐层生长的方式，将原子逐层沉淀在衬底材料上，反应过程中会周期性地在反应腔通入反应前驱物，形成周期性的薄膜沉积，因此拥有非常精准的膜厚控制和优越的台阶覆盖率，在28nm以下先进制程取得了越来越广泛的应用。根据Gartner数据，2