网站大量收购闲置独家精品文档,联系QQ:2885784924

集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案.pdfVIP

集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案.pdf

  1. 1、本文档共7页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案--第1页

集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案

第一单元:

3.比较硅单晶锭CZ,MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。

答:CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的

硅棒生产方法。

但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染。同时在坩

埚中,会有自然对流存在,导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多

是采用液相掺杂,受杂质分凝、杂质蒸发,以及坩埚污染影响大,因

此,直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均

匀性较差。

MCZ磁控直拉法,在CZ法单晶炉上加一强磁场,高传导熔体硅

的流动因切

割磁力线而产生洛仑兹力,这相当于增强了熔体的粘性,熔体对

流受阻。能生长无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法设备

复杂得多,造价也高得多,

强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。

FZ悬浮区熔法,多晶与单晶均由夹具夹着,由高频加热器产生一

悬浮的溶

区,多晶硅连续通过熔区熔融,在熔区与单晶接触的界面处生长

单晶。与直拉法相比,去掉了坩埚,没有坩埚的污染,因此能生长出

无氧的,纯度更高的单晶硅棒。

6.硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离[100]或

[111]等晶向一个小角度,为什么?

答:在外延生长过程中,外延气体进入反应器,气体中的反应剂

气相输运到衬底,在高温衬底上发生化学反应,生成的外延物质沿着

衬底晶向规则地排列,生长出外延层。

气相外延是由外延气体的气相质量传递和表面外延两个过程完成

的。表面外延过程实质上包含了吸附、分解、迁移、解吸这几个环节,

表面过程表明外延

集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案--第1页

集成电路制造技术-原理与工艺课后习题答案--第2页

生长是横向进行的,是在衬底台阶的结点位置发生的。因此,在

将硅锭切片制备外延衬底时,一般硅片都应偏离主晶面一个小角度。

目的是为了得到原子层台阶和结点位置,以利于表面外延生长。

7.外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响?

答:杂质掺杂效率不仅依赖于外延温度、生长速率、气流中掺杂

剂的摩尔分数、

反应室的几何形状等因素,还依赖于掺杂剂自身的特性。另外,

影响掺杂效率的因素还有衬底的取向和外延层结晶质量。硅的气相外

延工艺中,在外延过程中,

衬底和外延层之间存在杂质交换现象,即会出现杂质的再分布现

象,主要有自掺杂效应和互扩散效应两种现象引起。

4.异质外延对衬底和外延层有什么要求?

1.衬底与外延层不发生化学反应,不发生大量的相互溶解现象;

答:

8.衬底与外延层热力学参数相匹配,即热膨胀系数接近。以避免

外延层由生

长温度冷却至室温时,产生残余热应力,界面位错,甚至外延层

破裂。

9.衬底与外延层晶格参数相匹配,即晶体结构,晶格常数接近,

以避免晶格

参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大

的现象。

10.比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延(VPE)生长硅的

优缺点。

答:MBE的特点:

超高真空度达10-9~10-11Torr,外延过程污染少,外延层洁净。

温度低,(100)Si最低外延温度470K,所以无杂质的再分布现象。

文档评论(0)

135****1760 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档