HBM行业深度报告(一)：工艺篇，设备新机遇.pdfVIP

u投资逻辑

ØHBM市场前景广阔，地缘催化下国内有望加速扩产。HBM具备高带宽、低延迟、低功耗等优势，受益AI应用快速发展，2024

年全球HBM市场规模预计将达169.14亿美元，同比增长约288.29%。目前全球HBM市场被SK海力士、三星、美光三家企业

垄断，2023年市占率分别为47.5%、47.5%和5%，三大供应商均积极扩产，2023年底SK海力士、三星、美光HBM总产能

（含TSV）为4.5、4.5、0.3万片/月，2024年底预计增至12-12.5、13、2万片/月。国内HBM产业处于早期阶段，国内供应商

现处于HBM2的研发和产业化阶段，2024年12月2日美国BIS宣布新规，将HBM纳入严格管控，国内HBM有望加速扩产。

ØHBM工艺流程复杂，TSV、堆叠是关键环节。HBM制造工艺较为复杂，我们从TSV、Bump、减薄、堆叠/填充、测试等五大

环节进行分析，（1）TSV是HBM核心工序，成本占比最高，随着TSV数量增加，单一TSV良率面临更高要求；（2）Bump

工艺持续微型化，电镀工艺适用于小节距凸点；（3）TBDB能够提高产品良率和性能，气泡排除、翘曲度控制是技术要点，

CMP应用广泛、涉及多类耗材；（4）TCB目前广泛应用于HBM产品，混合键合实现无凸点互连、工艺条件较高，MR-MUF

技术具备效率、良率和散热优势；（5）HBM测试包括晶圆测试和KGSD测试，存在诸多挑战。

u投资建议：地缘催化下国内HBM产能建设有望加速，设备商有望迎来国产替代机遇。建议关注北方华创（刻蚀/沉积/炉管等

设备）、中微公司（刻蚀设备）、拓荆科技（混合键合/键合套准精度量测/PECVD等设备）、微导纳米（薄膜沉积设备）、

华海清科（CMP/减薄机）、芯源微（临时键合机/解键合机/清洗机）、盛美上海（电镀/清洗/边缘刻蚀设备）、精测电子

（检测设备）、中科飞测（检测设备）、赛腾股份（检测设备）、精智达（检测设备）、快克智能（键合设备）、芯碁微装

（直写光刻机/晶圆对准机/晶圆键合设备）等。首次覆盖，给予HBM行业“推荐”评级。

u风险提示：行业扩产不及预期；技术升级风险；欧美技术对中国封锁加剧；半导体设备国产替代不及预期；重点关注公司业

绩不及预期；研究报告使用的公开资料可能存在信息滞后或更新不及时的风险。

请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明4

行业报告思维导图

请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明5

1、HBM市场前景广阔，国内有望加速扩产

请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明6

uHBM具备高带宽、低延迟、低功耗等优势。高带宽存储器（HBM）是一种采用三维堆叠和硅通孔（TSV）等技术的高性能

DRAM，其核心优势在于，增加了存储堆栈的数量和位宽，缩短了存储芯片和逻辑芯片之间的距离，降低了工作电压并减少

了信号线的数量和长度，因此具备高带宽、低延迟和低功耗等优势。

图表1：HBM结构示意图图表2：HBM各代产品性能指标对比

资料来源：《高带宽存储器的技术演进和测试挑战》陈煜海等，全球半导体观察，国海证券研究所请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明7

图表3：HBM高速、高带宽性能指标

uHBM适用于高性能计算领域。在各类DRAM产品中，DDR主要用于

消费电子、服务器、PC等领域，LPDDR主要用于移动设备、手机及

汽车领域，GDDR主要用于图像处理GPU，HBM主要用于数据中心、

AI计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算领域，具备显著优势。

Ø高速高带宽：HBM2E和HBM3的单引脚最大I/O速度低于GDDR5存

储器，但HBM的堆栈方式可通过更多I/O数量提供远高于GDDR5存

储