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双极型三极管及其放大电路
v三极管的结构
v三极管的放大原理
v三极管特性曲线(输入特性曲线,输出特性曲线)
v共射极放大电路
v图解分析法
v小信号模型分析法
v放大电路的工作点稳定问题
v共集电极电路和共基极电路
v放大电路的频率响应
模拟电子技术基础
BJT的结构简介
BipolarJunctionTransistor,BJT,双极结型
晶体管
BJT是通过一定工艺,将两个PN结结合在一起
的器件。具有电流放大作用。
小功率管
中功率管
大功率管
为什么有孔?
c
箭头的方向是发射结正偏
时,电流的方向
集电结b
C集电极
collector
基极e
base
集电区作用
N收集载流子——电子
BP基区作用传输载流子——电子
发射区
N作用向基区发射多子——电子
发射极
emitter发射结
E
由于是N-P-N结构∴称为NPN三极管。
•同样将半导体材料另行组合,二块P,一块N,
构成三极管,它也有两个PN结(发射结,集
电结),两个PN结将三极管同样分为三个区,
发射区、基区、集电区,称它为PNP三极管.
Cc
集电区作用b
P收集载流子——空穴
e
BN基区作用传输载流子——空穴
发射区作用
P向基区发射多子——空穴
E
1.放大的条件
§为保证BJT能放大需满足内部和外部条件
§1).BJT放大的内部条件
•a.发射区的掺杂浓度最高;
•b.基区掺杂很低,且基区很薄。
•c.集电区掺杂浓度低,集电结面积很大
BE
虽然发射区和集电
发射区区都是N型半导体,
基区但发射区比集电区
掺的杂质多,因此
集电区它们并不是对称的。
C模拟电子技术基础
BJT放大的外部
条件
uBEUo(n发射结正偏)
放大的条件l发射结正偏,
,即(集电结反偏)
uCB0uCEuBE集电结反偏,
这是安排放
大电路的基
本原则
2.载流子的传输过程
少数载流
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