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半导体材料术语

1范围

本文件规定了半导体材料生长、加工过程中涉及的产品及相关的晶体缺陷、表面沾污、几何参数、制备、测试等方面的术语和定义。

本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3一般术语

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

半导体semiconductor(3.218)

导电性能介于导体与绝缘体之间，室温下电阻率约为10-3Ω·cm～109Ω·cm范围内的固体物质。

注：半导体的导电是由带正电的空穴和带负电的电子的定向移动实现的；半导体按其结构可分为单晶体、多晶体和非晶体。

3.2

本征半导体intrinsicsemiconductor(3.133)

晶格完整且不含杂质的理想半导体，在热平衡条件下，其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等。注：通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。

3.3

元素半导体elementalsemiconductor(3.80)

由单一元素的原子组成的半导体材料。

注：如硅、锗、金刚石等。

3.4

化合物半导体compoundsemiconductor(3.36)

由两种或两种以上不同元素以确定的原子配比形成的半导体材料。

注：如砷化镓(GaAs)、磷化铟（InP）、碲化镉(CdTe)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓（GaO）、铟镓氮（InGaN）和铝镓铟磷（AlGaInP）等。

3.5

宽禁带半导体widebandgapsemiconductor

通常指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体。

注：常见宽禁带半导体材料有：SiC、GaN、ZnO、β-GaO、金刚石、AlN。

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3.6

半绝缘砷化镓semi-insulatingGaAs

电阻率大于1×10^7Ω·cm的砷化镓单晶，用作微电子器件的衬底材料。

3.7

类金刚石碳膜diamond-likecarbonfilm

具有类似于金刚石正四面体键结构的多晶或非晶碳膜。具有负电子亲和势，高的硬度和抗腐蚀性，可用作光电阴极材料和多张器件的钝化保护膜。

3.8

第三代半导体材料third-generationsemiconductor

以碳化硅、氮化镓宽禁带半导体材料为代表，通常都具有高击穿电场、高迁移率、高饱和电子速度、可承受大功率等特点的半导体材料。

注：第一代半导体材料（以硅、锗为代表），大量应用于CPU、GPU、存储芯片、各种功率器件，目前仍然是半导体器件和集成电路制造的主要材料。第二代半导体材料（以砷化镓、锑化铟、磷化铟为代表），主要应用于光电子、微电子、微波功率等器件。第一代、第二代、第三代半导体材料的区别主要是应用场景及出现时间上的区别，有交叉，但不完全重合，因此第三代半导体材料和第二代、第一代之间不是迭代关系。

3.9

技术代technologygeneration

在集成电路中特定工艺的特征尺寸，由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸。也被称为技术节点或线宽。

3.10

金刚石结构diamondstructure

由两个面心立方点阵沿立方晶胞的体对角线偏移1/4单位嵌套而成的晶体结构。

3.11

闪锌矿结构Sphaleritestructure

闪锌矿结构属立方晶系，为面心立方点阵。由两种元素的原子各自形成面心立方晶格，再沿对角线滑移至对角线长度的四分之一，套迭而成。

注：闪锌矿结构半导体有GaAs，InP、InSb等。

3.12

纤锌矿结构structureoflead-zincore

属六方晶系，密排六角点阵。由两种元素的原子按六角排列的原子面以AaBbAaBb次序堆垛而成。

注1：以ZnS为例，其中A，B面表示Zn原子面，a，b面表示S原子面。S原子作六方密堆积，Zn原子填充在半数的四面体空隙中。

注2：纤锌矿结构化合物半导体有：4H-SiC和6H-SiC、GaN等。

3.13

受主acceptor

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半导体中的一种杂质，接受从价带激发的电子形成空穴导电。

3.14

施主donor(3.68)

半导体中的一种杂质或缺陷，向导带提供电子形成电子导电。

3.15

电子electron(3.79)

导电conduction

半导体导带中的一种带电载流子，其作用像带负电荷的自由电子，通常具有不同的质量。注：电子是n型材料中的多数载流子。

3.16

空穴hole(3.118)

半导体价带中的一个可移动空位，其作用就像一个具有正有效质量带正电荷的电子。注：是p型半导体材料中的多数载流子。

3.17

二维电子气two-dimensionalelectrongas；2DEG

两个维