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高速CMOS模拟集成电路中的静电保护电路设计.pdf

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高速CMOS模拟集成电路中的静电保护电路设计

随着超大规模集成电路工艺技术的不断提高,目前CMOS集成

电路已经进入了超深亚微米阶段,MOS器件的尺寸不断缩小,栅氧

化层厚度越来越薄,其栅耐压能力显著下降,集成电路失效的产品中

有35%是由于ESD问题所引起的。因此CMOS集成电路的静电

放电(ElectrostaticDischarge,ESD)保护电路的设计越来越受

到了电路设计者的重视。

ESD保护电路是为芯片电路提供静电电流的放电路径,以避免静

电将内部电路击穿。由于静电一般来自外界,例如人体、机器,因

此ESD保护电路

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