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PECVD工艺培训

CATALOGUE

目录

PECVD工艺概述

PECVD设备结构与工作原理

PECVD工艺参数与优化

PECVD薄膜制备技术及应用

PECVD设备操作与维护保养

安全防护与环保要求

PECVD工艺概述

01

CATALOGUE

PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)即等离子体增强化学气相沉积,是一种利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应,在样品表面形成固态薄膜。

PECVD技术原理在于将含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在样品表面沉积出所期望的薄膜。

光伏行业

显示面板行业

半导体行业

其他领域

01

02

03

04

用于制备太阳能电池中的硅基薄膜,如非晶硅、微晶硅等。

用于制备TFT-LCD、OLED等显示面板中的薄膜材料,如SiO2、SiNx等。

用于制备集成电路中的介质层、阻挡层等薄膜材料。

如光学、医疗、航空航天等领域中也有广泛应用。

VS

自20世纪60年代末期开始研究以来,PECVD技术经历了不断的发展和改进,从最初的直流辉光放电到射频放电、微波放电以及多种放电方式的结合,设备结构和工艺条件得到了不断优化。

现状

目前,PECVD技术已经成为制备薄膜材料的重要方法之一,在光伏、显示面板、半导体等领域得到了广泛应用。随着新能源、新材料等领域的快速发展,PECVD技术的应用前景将更加广阔。同时,为了提高生产效率和产品质量,PECVD设备正朝着大型化、智能化、高效化方向发展。

发展历程

PECVD设备结构与工作原理

02

CATALOGUE

加热系统

用于加热样品和控制反应温度,通常由加热元件、温度控制器和热电偶组成。

电极系统

包括上电极和下电极,用于施加电压和产生等离子体。电极材料通常为金属或石墨,具有良好的导电性和耐高温性能。

真空室

用于装载样品和维持真空环境,通常由不锈钢或铝合金制成,具有良好的气密性和耐腐蚀性。

气路系统

包括气源、质量流量计、阀门和管道等,用于提供反应气体和控制气体流量。

真空系统

由真空泵、真空计和真空阀门等组成,用于抽取真空室内的气体,维持真空度。

等离子体产生

01

在电极系统施加电压后,电极间的气体被击穿形成等离子体。等离子体中的电子、离子和中性粒子等具有高能量和活性,可以与样品表面发生化学反应。

化学反应

02

等离子体中的活性粒子与样品表面发生化学反应,生成所需的化合物或薄膜。反应过程中可能涉及气体吸附、表面扩散、化学反应和产物脱附等步骤。

薄膜生长

03

通过连续或脉冲的方式施加电压和反应气体,可以在样品表面逐层生长出所需的薄膜。薄膜的厚度、成分和结构等可以通过控制工艺参数进行调控。

电极系统

加热系统

气路系统

真空系统

用于产生等离子体并控制其分布和密度,对薄膜的质量和均匀性有重要影响。

用于提供精确控制的反应气体流量和组成,对薄膜的成分和结构有决定性作用。

用于控制样品温度和反应速率,对薄膜的结晶性、应力和附着力等性能有关键作用。

用于维持稳定的真空环境和排除杂质气体,对保证薄膜的纯度和质量至关重要。

PECVD工艺参数与优化

03

CATALOGUE

电极间距

影响电场分布和等离子体稳定性,需根据设备特点和工艺要求合理设置。

射频功率

影响等离子体密度和能量,从而影响反应速率和薄膜质量。

气体流量

各种反应气体的流量比例直接影响薄膜成分和性能,需精确控制。

温度

影响反应速率、薄膜质量和应力等,需根据材料和工艺要求精确控制。

压力

影响气体扩散和反应速率,过高或过低的压力都会导致薄膜质量下降。

采用正交表安排试验,可快速找出各参数对薄膜性能的主次关系和最优水平组合。

正交试验设计

响应面法

迭代优化

专家系统

通过建立响应面模型,可直观展示各参数对薄膜性能的交互影响,并找出最优参数组合。

根据初步试验结果,不断调整参数并重复试验,逐步逼近最优解。

利用专家经验和知识库,对试验数据进行智能分析和优化,提高优化效率。

可通过提高基片温度、增加预处理工序或调整气体流量比例等方法改善。

可降低射频功率、减小气体流量或增加后处理工序等方法改善。

可优化气体流量比例、提高射频功率稳定性或改进电极结构等方法改善。

需加强设备维护和保养,定期检查和更换易损件,提高设备稳定性和可靠性。

薄膜附着力差

薄膜表面粗糙

薄膜成分不均匀

设备故障率高

PECVD薄膜制备技术及应用

04

CATALOGUE

物理气相沉积(PVD)

利用物理过程,如蒸发、溅射等,使材料从固态变为气态并沉积在基底上。PVD技术制备的薄膜纯度高,但与基底结合力较弱。

化学气相

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