2024IGBT行业市场分析报告.pdf

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目录IGBT行业概述

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行业概述

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IGBT行业

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动

式功率半导体器件，具有驱动功率小、饱和压降低的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以

上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT作为电力电

子重要大功率主流器件之一，广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电

网等领域。车规级IGBT指要满足车载等级要求的IGBT，车规级IGBT是新能源汽车的核心器件，

IGBT芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”，是影响电动车性能的核心器件之一。车规级

IGBT模块是新能源汽车的电机控制器、高压充电机、空调系统等电气组件的核心元器件，尤其

IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换同时负责电机变频控制。

发展历程

第一阶段是以1957年为起点第二阶段是20世纪70年代后期

以整流管、晶闸管为代表的半控型器件发展阶段。这一阶段的功率为以可关断晶闸管(GateTurnOffThyristor,GTO)、功率双极晶体管

器件在低频、大功率变流领域中的应用占有优势，取代了早先的汞（BipolarJunctionTransistor,BJT，也称GiantTransistor,GTR）和功率场效应晶

弧整流器，半控型器件实现了弱电对强电的控制，在工业界引起了体管（Power-MOSFET）等全控型器件为代表的发展阶段。全控型器件通过对门极

一场技术革命，但半控型器件可通过信号控制其导通，但无法实现（基极/栅极）的控制，既可使器件导通又可使器件关断，其开关速度高于晶闸管，

关断，使得其应用有着很大局限性。使变流器的高频化得以实现。20世纪70年代末MOSFET出现，克服了前两代的许多不

足，但其导通电阻却比较大，在高压领域其导通电阻仍旧是很大问题。

第三阶段是20世纪80年代后期第四阶段

以绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT）复合型器件是以功率集成电路（PowerIntegratedCircuit,PIC）或智能功率集成电

为代表的发展阶段。IGBT是功率MOSFET和BJT的复合，集中了BJT和MOSFET的优点，路（SmartPowerIntegratedCircuit,SPIC）为代表的集成电路发展阶段。

但也正是因为其由MOSFET驱动BJT，导致其开关速度、最大工作频率不及MOSFET，PIC即采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电

故更适用于只在高压、大功率环境。容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或