存储器原理与接口.ppt

动态存储单元01地址译码02输入输出控制03存储体结构01地址线02控制线03数据线04存储体05译码器06输入输出控制单译码结构231地址译码器：接收来自CPU的n位地址，经译码后产生2n个地址选择信号，实现对片内存储单元的选址。控制逻辑电路：接收片选信号CS及来自CPU的读/写控制信号，形成芯片内部控制信号，控制数据的读出和写入(双向)。存储体：是存储芯片的主体，由基本存储元按照一定的排列规律构成。译码器译码器行线列线地址线地址线矩阵译码电路5.3、8086CPU总线产生8086CPU的管脚及功能8086是16位CPU。它采用高性能的N—沟道，耗尽型负载的硅栅工艺(HMOS)制造。由于受当时制造工艺的限制，部分管脚采用了分时复用的方式，构成了40条管脚的双列直插式封装最大模式：系统中可包含一个以上的处理器，比如 包含协处理器8087。在系统规模比较大 的情况下，系统控制信号不是由8086直 接产生，而是通过与8086配套的总线控 制器等形成。02最小模式：系统中只有8086一个处理器，所有的控 制信号都是由8086CPU产生。01二、8086的两种工作方式最小模式下8086CPU总线产生地址线、数据线产生相关信号线及芯片AD15～AD0(AddressDataBus)地址/数据复用信号，双向，三态。在T1状态（地址周期）AD15～AD0上为地址信号的低 16位A15～A0；在T2～T4状态（数据周期）AD15～AD0上是数据信号D15～D0。A19/S6～A16/S3(Address/Status)：地址/状态复用信号，输出。在总周期的T1状态A19/S6～A16/S3上是地址的高4位。在T2～T4状态，A19/S6～A16/S3上输出状态信息。机器周期：时钟周期总线周期：对内存或对I/O接口的一次操作的时 间指令周期：指令执行的时间MOV[2000H],AX数据周期地址周期S4S3当前正在使用的段寄存器00ES01SS10CS或未使用任何段寄存器11DS1保持、2可改写给出图及mn/mxAD-74LS373CLK?在blackboard画相关部分举例：指令mov讨论，1、2颠倒，如何？第五章存储器原理与接口存储器分类存储器结构8086CPU最小模式下总线产生存储器接口5.1存储器分类一、有关存储器几种分类存储介质分类半导体存储器磁盘和磁带等磁表面存储器光电存储器随机存储器RAM(RandomAccessMemory)1只读存储器ROM（Read-OnlyMemory）2串行访问存储器(SerialAccessStorage)3按存取方式分类按在计算机中的作用分类01主存储器(内存)02辅助存储器(外存)03高速缓冲存储器04随机存取存储器RAM只读存储器ROM半导体存储器的分类随机存取存储器RAM半导体存储器的分类静态RAM（ECL，TTL，MOS）动态RAM只读存储器ROM掩膜式ROM可编程的PROM可用紫外线擦除、可编程的EPROM可用电擦除、可编程的E2PROM等01020304可用紫外线擦除、可编程的EPROM绝缘层浮动栅雪崩注入式MOS管使栅极带电编程EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口擦除当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态。一般照射20～30分钟后，读出各单元的内容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除。浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(FloatinggateTunnelOxide)：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳米以下），称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时隧道区双向导通。当隧道区的等效电容极小时，加在控制栅和漏极间的电压大部分降在隧道区，有利于隧道区导通。擦除和写入均利用隧道效应10ms可用电擦除、可编程的E2PROM分类掩模ROM可编程ROM（PROM）可擦除可编程ROM（EPROM）随机存储器RAM静态存储器SRAM动态存储器DRAM按功能(Read-OnlyMemory)(RandomAccessMemory)(ProgrammableROM)(ErasablePROM)UVEPROMEEPROM只读存储器ROMFlas