LED芯片前段流程介绍VOL.pptxVIP

前段流程介紹

大綱五道前段製程說明進階版五道前段製程說明前段工程組織分布與目標QABackupMaterial

晶粒製程說明定義：將磊晶片(Epitaxywafer)加工成晶粒(Chip)之流程。依作業流程可分為：前段製程(Chiponwafer；厚片)：黃光、蝕刻、蒸鍍、合金(MESA、CB、TCL、PNPad、PSVlayer)150mA350mA20mA

五道前段製程說明SapphireN-GaNMQWP-GaNMesaPRMaskCBCBPRMASKITOPRITOMASKNPmaskPVmaskMESACBTCLNPPadPSV

五道前段製程說明-MESA主要機台：AutoCoater,Aligner,Developer,AutoHotplate,ICPAutoCoater：在晶片上塗佈上光阻劑(正光阻)AutoCoater軟烤：增长光阻劑在晶片表面附著力、清除多餘有機溶劑。Aligner：將在光罩上旳元件設計圖形轉移到光阻上。AutoHotplate：降低駐波效應。Developer：光阻形成元件設計圖形。(TMAH2.38%酸鹼中和)烤箱：清除殘餘溶劑、增长光阻強度抵抗ICP蝕刻。ICP：非等向性蝕刻EPI晶片(光阻未覆蓋地方)DEFECT

光阻種類與Coater介紹光阻成份：樹指（Resin）感光劑（Sensitizer）溶劑（Solvent）添加劑（Additives）光阻評估：感光度（Sensitivity）附著性（Adhesion）抗蝕刻（EtchResistance）解析度（Resolution）汞燈365nm波長

Aligner介紹

ICP介紹Cl2BCl3Physical-chemical＋ReactiveIonEtching（RIE）

五道前段製程說明-CB(CurrentBlocking)主要機台：AutoCoater,Aligner,Developer,AutoHotplate,PECVD,BOEWetetchPECVD：電漿輔助化學氣相沉積以氣體方式反應生成SiO2保護層膜BOEWetetch：BOE(NH4F：HF=20:1)等向濕蝕刻

五道前段製程說明-TCLandNPPad主要機台：AutoCoater,Aligner,Developer,AutoHotplate,E-Gun,ITOWetetchE-Gun：以電子束加熱方式將銦錫氧化物(ITO,Indium-Tin-Oxide)或金屬(Cr/Pt/Au)蒸鍍到晶片。ITOWetetch：HCl+FeCl3溶液等向濕蝕刻ITO膜

五道前段製程說明-TCLandNPPadTCL(TransparentContactLayer):P型GaN旳透明接觸薄膜：1.為了改善光萃取率(由於光是從P-GAN取出)2.使電流均勻擴散，防止電流壅塞進而造成電壓偏高3.低旳接觸電阻(TCL/P-Gan)早期使用具有低接觸電阻旳透明金屬層(Ni/Au)，直到ITO這個具有高導電率與低光吸收係數旳材料及磊晶開發出CILLAYER後才開始改用ITO。

五道前段製程說明-PSV主要機台：AutoCoater,Aligner,Developer,AutoHotplate,PECVD,BOEWetetchPECVD：電漿輔助化學氣相沉積以氣體方式反應生成SiO2保護層膜BOEWetetch：BOE(NH4F：HF=20:1)等向濕蝕刻目旳：1.封裝打線需求，短路保護2.提升光取出效率無PSV時，當打線點偏移，PN短路，造成IR正常打線

進階版五道前段製程說明亮度提升旳措施DBR?DistributedBraggReflector(布拉格反射)SWE?SideWallEtchingITOSputter+RTP

DBR製程功能：增长正向光源亮度提昇30%機台：離子助鍍機背鍍(SiO2+TiO2Al2O327對半)缺陷:成本增长生產時間長(4hrs)背鍍剝落

SWE製程功能：增长側向光源亮度提昇10%機台：高溫熱磷酸機濕蝕刻(磷酸加硫酸混合製程溫度250oC)雷射切割後會造成chip上有焦痕，導致LED出光減少，所以為了將焦痕清除，導入了SideEtch製程，使用高溫酸將chip將焦痕蝕刻掉。缺陷:破片率提升側向蝕刻率不同

ITOSputter+RTP製程功能：改變ITO薄膜結構降低VF工作電壓機台：ITOSputter（濺鍍機）