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高温退火消除硅片内部空洞实验.
ICedu狂人发表于:2007-5-0109:09来源:SupeSite/X-Space社区门户
将两抛光完好的硅片，在超净环境中进行键合时发现，在200~800℃范围内，
随着温度的升高，键合界面产生的空洞数量增多，空洞的尺寸变大。而在超过
900℃的键合过程中，空洞又消失。这种与温度有关的空洞有人认为是由于在这
个温度范围内，键合界面发生化学反应时释放出多余的水引起的[27]，也有人认
为是由于水汽化而引起的[7]，也有人用SIMS测量，认为这种与温度有关的空洞
是由于硅片表面存在的碳氢化合物引起的
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