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毕业论文答辩PPT模板第4章场效应管及其放大电路

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.1MOSFET共源极放大电路4.2结型场效应管（JFET）及其放大电路4.3场效应管与晶体管及其基本放大电路性能的比4.4

本章课程目标1、了解结型、绝缘栅型场效应管的结构及其类型，理解各种类型场效应管的工作原理、特性，掌握各种类型场效应管的主要参数；2、掌握各种组态场效应管放大电路的组成形态、分析方法及其性能。

P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.1增强性MOSFET1、结构及电路符号(b)电路符号(a)结构

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.12、工作原理（1）0vGSVT，没有导电沟道当vDS=0，当0vGSVT时，产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生(a)0vGSVT，没有导电沟道

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.12、工作原理（2）vGSvT，vDS=0，出现N型导电沟道d、s间加电压后，将有漏极电流iD产生(b)vGSvT，vDS=0，出现N型导电沟道vGS越大，导电沟道越厚VT称为开启电压当vGSVT时，产生的电场足够强形成了漏、源两极间的N型导电沟道

4.1（3）可变电阻区的形成电流iD将随vDS的上升而迅速增大,形成如右图所示的输出特性曲线的OM段，该段的斜率较大，称为可变电阻区?靠近漏极d处的电位升高?电场强度减小当vGS一定（vGSVT）时，vDS??ID??沟道电位梯度?当vDS增加到使vGD=VT时，在紧靠漏极处出现预夹断。在预夹断处：vGD=vGS-vDS=VT即：vDS=vGS-vT(c)vGSVT，0vDS(vGS-VT)，形成可变电阻区(a)vGSvT，vDS0，整个沟道呈楔形分布(b)输出特性曲线整个沟道呈楔形分布可变电阻区沟道预夹断，沟道截面呈三角形状金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.12、工作原理（4）饱和区的形成管子工作在恒流区，如右图所示的输出特性曲线的MN段，该段的斜率为0，称为饱和区

(a)vGSVT，vDS(vGS-VT)，形成饱和区(b)输出特性曲线形成一个夹断区饱和区MN预夹断后，vDS??夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.1增强性MOSFET3、特性曲线及特性方程（1）输出特性曲线及特性方程①截止区当0vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，管子为截止工作状态。

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.1增强性MOSFET3、特性曲线及特性方程（1）输出特性曲线及特性方程②可变电阻区当vGS一定时，且vDS较小时，电流iD与漏源电压vDS近似呈线性关系，该段曲线的斜率受vGS的控制，因此场效应管D、S间相当于一个受电压vGS控制的可变电阻，其电阻值为相应曲线上升段斜率的倒数。很显然，vGS不同，上升段斜率不同，体现出的电阻也不同，故名为可变电阻区

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.1增强性MOSFET3、特性曲线及特性方程（1）输出特性曲线及特性方程③饱和区（恒流区又称放大区）是vGS＝2VT时的iD

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.1增强性MOSFET3、特性曲线及特性方程（2）转移特性曲线

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.2耗尽型MOSFET1.结构和工作原理（N沟道）二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流vGS=0时，导电沟道已经存在，因此称为耗尽型MOSFET

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.2耗尽型MOSFET2.V-I特性曲线及大信号电流方程

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.3MOSFET的主要参数1、直流参数1）.开启电压VT（增强型参数）2）.夹断电压VP（耗尽型参数）3）.饱和漏极电流IDSS（耗尽型参数）4）.直流输入电阻RGS（109Ω～1015Ω）NMOS增强型1).输出电阻rds2、交流参数

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管4.14.1.3MOS