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微电子工艺学A知到智慧树期末考试答案题库2024年秋上海大学
下面缺陷类型中不属于面缺陷的是()
A:堆垛层错
B:孪晶界
C:位错
D:晶界
答案:位错
注入损伤与以下哪个参数无关()?
A:注入离子的质量
B:注入离子的能量
C:注入离子的剂量
D:注入离子的温度
答案:注入离子的温度
离子注入工艺所用的液态离子金属源是()
A:Ga
B:Al
C:Cu
D:Li
答案:Ga
1mil(密尔)等于()
A:0.0254毫米
B:0.0454毫米
C:0.0154毫米
D:0.0354毫米
答案:0.0254毫米
用于刻蚀的离子束能量范围是()。
A:E<20Ke
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