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微电子工艺学A知到智慧树期末考试答案题库2024年秋上海大学.docx

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微电子工艺学A知到智慧树期末考试答案题库2024年秋上海大学

下面缺陷类型中不属于面缺陷的是()

A:堆垛层错

B:孪晶界

C:位错

D:晶界

答案:位错

注入损伤与以下哪个参数无关()?

A:注入离子的质量

B:注入离子的能量

C:注入离子的剂量

D:注入离子的温度

答案:注入离子的温度

离子注入工艺所用的液态离子金属源是()

A:Ga

B:Al

C:Cu

D:Li

答案:Ga

1mil(密尔)等于()

A:0.0254毫米

B:0.0454毫米

C:0.0154毫米

D:0.0354毫米

答案:0.0254毫米

用于刻蚀的离子束能量范围是()。

A:E<20Ke

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