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《基于错误特征的NANDFlash存储策略研究》
一、引言
随着信息技术的发展，NANDFlash存储器已经成为各种数字存储设备的主要存储介质。NANDFlash以其高密度、低功耗和低成本等优势在许多领域得到广泛应用。然而，其也面临着诸多挑战，包括错误的复杂性、管理难题等。为应对这些挑战，研究基于错误特征的NANDFlash存储策略变得尤为重要。
二、NANDFlash的错误特征
NANDFlash的错误主要来源于硬件本身和外部环境。硬件错误包括位错误、坏块等，外部环境因素如温度、湿度和电磁干扰等也可能导致数据错误。这些错误具有随机性、聚集性和时间依赖性等特征，对存储系统的可靠性和
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