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《硒化铟纳米薄膜的制备及其电学和光电性能研究》

一、引言

随着纳米科技的飞速发展，硒化铟（InSe）纳米薄膜因其独特的物理和化学性质，在电子器件、光电器件等领域展现出巨大的应用潜力。本文旨在研究硒化铟纳米薄膜的制备方法，并对其电学和光电性能进行深入探讨。

二、硒化铟纳米薄膜的制备

硒化铟纳米薄膜的制备主要采用化学气相沉积法。首先，将高纯度的铟和硒源置于反应室中，通过控制温度、压力和反应时间等参数，使铟和硒在高温下发生化学反应，生成硒化铟。随后，利用特殊的成膜技术，将生成的硒化铟沉积在基底上，形成均匀的纳米薄膜。

三、电学性能研究

1.电阻率测试

通过四探针法测量硒化铟纳米薄膜的电阻率。在一定

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