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(3)将Runtotime(仿真运行时间)设置为2μs，Startsavingdataafter(开始存储数据时间)设置为1μs，Maximumstepsize(最大时间增量)设置为100ns。点击确定按钮保存本次仿真参数设定。2、执行仿真、查看波形(1)点击工具栏中的按钮执行仿真。如果没有错误，仿真执行成功，将弹出波形窗口。在波形窗口中，除了X轴变量已经按照我们前面的参数设置为1μs~2μs之外，Y轴变量则等待着我们的选择输入。(2)从菜单中选择Trace→AddTrace,弹出AddTrace窗口,在TraceExpression栏处用鼠标选择或直接由键盘输入字符串“V(R:1,R:2)”。再用鼠标点击OK按钮退出AddTrace窗口。这时将出现如图2.37(a)所示曲线,它表示信号源的时域波形。但仔细观察该波形,发现有一定程度的失真,这是由于最大时间增量设置过大造成的,点击左侧按钮,弹出SimulationSettings窗口,修改Maximumstepsize(最大时间增量)为1ns。重新运行仿真,查看波形,得到图2.37(b)所示曲线,此时的时域波形几乎没有失真。图2.37(a)10kΩ电阻上电压的时域波形图2.37(b)10kΩ电阻上电压的时域波形3、分析波形、读取数值(1)根据图2.37可以看出，10kΩ电阻在固定频率的高频电路中其上的电压不会随时间发生变化。(2)读取电压波峰值:点击工具栏中的按钮,选择按钮将光标定位在下一个最大值即波峰位置,通过ProbeCursor窗口读出此时波峰值为1.9990V,与电压源2V基本相等，仿真完成。2-1分别画出在高频电路中的电阻器、电容器和电感器的电路模型，指出与理想电阻、理想电容和理想电感比较，它们的电路性能有何不同，为什么？
2-2参考电阻器、电容器和电感器的高频模型，指出这三种模型的异同。
2-3画出两个不同阻值的电阻器串联的高频模型，与理想电阻串联电路性能进行比较。
2-4画出两个不同阻值的电阻器并联的高频模型，与理想电阻并联电路的性能进行比较。
2-5画出电阻器与电感器串联电路的高频模型，与理想电阻和理想电感串联电路的性能进行比较。习题2-6画出电阻器与电感器并联电路的高频模型，与理想电阻和理想电感并联电路的性能进行比较。
2-7画出电阻器与电容器串联电路的高频模型，与理想电阻和理想电容串联电路的性能进行比较。
2-8画出电阻器与电容器并联电路的高频模型，与理想电阻和理想电容并联电路的性能进行比较。
2-9画出电感器与电容器串联电路的高频模型，与理想电感和理想电容串联电路的性能进行比较。2-10画出电感器与电容器并联电路的高频模型，与理想电感和理想电容并联电路的性能进行比较。
2-11用PSpice或Multisim仿真软件对以上各题的电路进行仿真分析。改变元件参数值，观察电路性能的变化。
2-12影响二极管、双极型晶体管和场效应管高频应用的主要因素有哪些，为什么？
2-13已知二极管的静态电流为1mA，测得PN结电容为100pF，判断该二极管能否在100MHz条件下正常工作在单向导电状态？为什么？如果测得PN结电容为20pF，则二极
管可能正常工作的最高频率为多少？2-14已知三极管在静态电流ICQ=1mA时，其参数β0=50，Cb′c≈2pF，rce=100kΩ，fT=500MHz，计算共射组态Y参数，并画出Y参数等效电路。
2-15场效应管高频小信号等效电路模型如题2-15图所示。已知Cgs=30pF，Cgd=5pF，Cds=15pF，gm=10ms，推导该场效应管Y参数的计算公式，计算各Y参数值，并画出Y参数等效电路。题2-15图*Ｊ＝*Yos是场效应管输入端短路时的输出导纳(下标“o”表示输出)。Yos的倒数是电路的输出阻抗。共源组态放大电路的混合π等效电路和Yos参数的近似转换式为
源极—漏极之间的体电阻rs值很小，可忽略，Yos即为(2-32)(2-33)3.
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