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MitigationMethodsforParasiticTurn-on
effectduetoMillerCapacitor
WhitePaper
IntroductionParasiticTurn-onMitigationSolutions
OneofthecommonproblemsfacedwhenswitchingTherearethreeclassicalsolutionstotheaboveproblem;
anIGBTisparasiticturn-onduetoMillercapacitor.Thisthefirstbeingtovarythegateresistor(Figure2),second
effectisnoticeableinsinglesupplygatedriver(0totoaddacapacitorbetweengateandemitter(Figure
+15V).Duetothisgate-collectorcoupling,ahighdV/3)andthirdtousenegativegatedrive(Figure4).A
dttransientcreatedduringIGBTturn-offcaninducefourthsimpleandeffectivesolutionistheActiveClamp
parasiticturn-on(Gatevoltage,VGE)whichispotentiallytechnique(Figure5).
dangerous(Figure1).
+HVDCSeparategateresistorforturn-onandturn-off
Theon-gateresistor,RGONinfluencesthevoltageand
currentchangeduringIGBTturn-on.Increasingthis
DRIVERS1resistorreducesthevoltageandcurrentchangesbut
increasesswitchinglosses.
ICG=CCG*dVCE/dtParasiticturn-oncanbepreventedbyreducingtheoff-
MillerCapacitorCCGgateresistor,RGOFF.T
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