《ZrB2-SiC陶瓷连接接头中原位TiB晶须生长机制及增强机理研究》.docx

《ZrB2-SiC陶瓷连接接头中原位TiB晶须生长机制及增强机理研究》

一、引言

ZrB2-SiC陶瓷作为一种高性能的复合材料，在航空航天、核能应用等领域具有广泛的应用前景。然而，其连接接头性能的优化一直是该领域研究的重点和难点。近年来，原位TiB晶须在陶瓷连接接头中的应用逐渐受到关注，其独特的增强机理和优异的性能使其成为提高陶瓷连接接头性能的重要手段。本文旨在研究ZrB2-SiC陶瓷连接接头中原位TiB晶须的生长机制及增强机理，以期为提高陶瓷材料连接接头的性能提供理论支持和实践指导。

二、原位TiB晶须的生长机制

1.原料及反应过程

原位TiB晶须的生长过程主要涉及Ti、B等元素的反应。在