2025年一种制作半导体器件的方法.pdfVIP

长风破浪会有时，直挂云帆济沧海。——李白

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布CNA

202520253

(43)申请公2025.12.24

(21)CN202520252025.1

(22)申请日2013.06.17

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人韩秋华

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

代理人董巍

(51)Int.CI

H01L21/768

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种制作半导体器件的方法

(57)摘要

本发明公开了一种制作半导体器件

的方法，包括提供半导体衬底；在所述半

导体衬底上依次形成刻蚀停止层、超低k

介电层、低k过渡层、氧化物硬掩膜层和

金属硬掩膜层；图案化所述金属硬掩膜

层，以在所述金属硬掩膜层中形成开口；

在所述开口的底部和侧壁以及所述金属硬

掩膜层上形成氧化物保护层；在所述氧化

长风破浪会有时，直挂云帆济沧海。——李白

物保护层上形成图案化的光刻胶层；根据

所述图案化的光刻胶层依次刻蚀所述氧化

物保护层、所述氧化物硬掩膜层、所述低

k过渡层和所述超低k介电层，以形成沟

槽。根据本发明的制造工艺可以解决图案

化工艺失效的问题，以避免在刻蚀形成的

沟槽的底部低k过渡层上形成氮化硅层，

以保证后续的一体化刻蚀工艺顺利进行。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

操千曲尔后晓声，观千剑尔后识器。——刘勰

权利要求说明书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成刻蚀停止层、超低k介电层、低k过渡

层、氧化物硬掩膜层和金属硬掩膜层；

图案化所述金属硬掩膜层，以在所述金属硬掩膜层中形成开口；

在所述开口的底部和侧壁以及所述金属硬掩膜层上形成氧化物保护

层；

在所述氧化物保护层上形成图案化的光刻胶层；

根据所述图案化的光刻胶层依次刻蚀所述氧化物保护层、所述氧化物

硬掩膜层、所述低k过渡层和所述超低k介电层，以形成沟槽。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺沉积

形成所述氧化物保护层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物保护层的材料

为碳氧化硅，所述氧化物保护层的厚度为1nm至4nm。

穷则独善其身，达则兼善天下。——《孟子》

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在根据所述图