2025年半导体装置以及层叠型半导体装置的制造方法.pdfVIP

百川东到海，何时复西归?少壮不努力，老大徒伤悲。——汉乐府

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布CNA

202520256

(43)申请公2025.09.24

(21)CN202520252025.6

(22)申请日2013.08.19

(71)申请人株式会社东芝

地址日本东京都

(72)发明人佐藤隆夫福田昌利

(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所

代理人陈海红

(51)Int.CI

H01L21/603

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体装置以及层叠型半导体装置

的制造方法

(57)摘要

本发明提供切断面良好且安装容易

并能够实现小型化的层叠型半导体装置及

其制造方法。该方法特征是，包括：在第

一基板上在同一平面上排列并粘接多个第

一层的半导体芯片的工序；在所述半导体

芯片上分别层叠至少一层以上的半导体芯

片的工序；将所述第一基板切断而分离成

古之立大事者，不惟有超世之才，亦必有坚忍不拔之志。——苏轼

各芯片层叠体的工序；进行对位以使在芯

片层叠体的表面形成的电极焊盘部与第二

基板的电极焊盘部互相对准，而对置地暂

时连接的工序；将第二基板以及芯片层叠

体整体回流焊以将电极焊盘部间电连接的

工序；从芯片层叠体的第一基板侧沿层叠

体供给液状树脂以对各半导体芯片间以及

芯片层叠体与第二基板间进行树脂密封的

工序；和从芯片层叠体的第二基板侧用切

割刀片进行切断而个片化的工序。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2017-08-22专利权的转移专利权的转移

2017-01-18授权授权

2014-10-22实质审查的生效实质审查的生效

2014-09-24公开公开

2022-01-21专利权的转移专利权的转移

专利权人的姓名或者名称、地址专利权人的姓名或者名

2022-01-21

的变更称、地址的变更

英雄者，胸怀大志，腹有良策，有包藏宇宙之机，吞吐天地之志者也。——《三国演义》

专利权人的姓名或者名称、地址专利权人的姓名或者名

2022-01-21

的变更