智慧树答案电子技术基础Ⅰ(模拟部分)知到课后答案章节测试2025年.pdfVIP

其身正，不令而行；其身不正，虽令不从。——《论语》

第一章

1.对PN结电击穿描述不正确的是（）。答案:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理

近似相同，都是在外加反向电压下实现的

2.2AP9表示的是（）。答案:18世纪30年代到18世纪末

3.对二极管模型的描述不正确的是（）。答案:二极管小信号模型中的等效电

阻值与二极管工作的Q点无关

4.如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（）。答案:0V

第二章

1.晶体三极管形成原理描述不正确的是（）。答案:由于基区很薄，电子和空

穴在基区复合的概率较高

2.对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（）。答案:放大电路的

输出功率一般是瓦特级

3.对共基极放大电路特性描述不正确的是（）。答案:输入电阻小，对前一级

放大电路或信号源的带负载能力要求不高

4.对多级放大电路性能描述不正确的是（）。答案:多级放大电路的电压增益

等于各级放大电路电压增益分贝值之积

5.已知b=100，RS=1kW，RB1=62kW，RB2=20kW,RC=3kW，RE=1.5

kW，RL=5.6kW，VCC=15V。则静态工作点分别为：（）。答案:20μA，

2mA,6V

第三章

1.测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压

为-1V，该管工作在（）。答案:饱和区

2.对N沟道增强型场效应管工作原理描述不正确的是（）。答案:当漏极和源

极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少

3.在使用MOSFET时，下列描述不正确的是（）。答案:由于FET的结构对

称性，其漏极和源极在任何情况下都可以任意互换，其伏安特性几乎无变化

4.如图所示耗尽型N沟道MOS管，RG=1MW，RS=2kW，RD=12kW，

VDD=20V。IDSS=4mA，UGS(off)=–4V，则ID是（）。答案:1mA

5.采用二阶低通滤波器进行滤波时，设截止频率为，则10处的增益与处的

相差：（）。答案:40dB

第四章

1.与单管共射放大电路放大倍数一致的差动放大电路是（）答案:双端输入双

端输出

2.对共模抑制比描述不正确的是（）答案:电路的差模增益为50，共模增益为

0.05，则共模抑制比为40dB

百学须先立志。——朱熹

3.对集成运放参数描述不正确的是（）答案:输入失调电流是指输入电压为零

时，流入放大器两端的动态基极电流之差

4.如图所示电路所实现的功能是（）答案:2mA

5.对集成电路描述不正确的是（）答案:集成电路中的各级放大电路之间采用

电容耦合方式进行的

第五章

1.对电阻的热噪声描述不正确的是（）答案:纯电抗元件具有热噪声

2.对共模抑制比描述不正确的是（）答案:散粒噪声

3.关于散粒噪声的描述不正确的是（）答案:散粒噪声具有瑞利分布

4.电路如图所示，输出与输入之间的关系是（）答案:开平方运算

5.利用乘法器实现解调功能时，乘法器输出后的模块是（）答案:低通滤波器

第六章