【2025年整理】各种晶体材料抛光 .pdfVIP

海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐

1、方解石：光轴面抛光后不能用白胶布保护，必需用黑胶布。光轴面B=Ⅲ，用玻璃盘细

磨，细磨光圈半个左右。抛光：用绸布（真丝布）绑在抛光好的平玻璃板上，一定要平，然后用

704粘合剂均匀地涂在绸布上，未干时放在平玻璃板上轻轻磨一下，然后等完全干透。

2、白宝石、红宝石：要求B=Ⅳ，θ=1′，N=1，ΔN=1/2。一般用钢盘加研磨膏抛光，钢盘

一定要改好。如果B要求较高，可用特殊胶盘。细磨一定要好。

3、磁光（旋光）晶体：YIG、GGG。细磨一定用碳化硼280#，20#，抛光先用宝石粉W2.

5抛亮后，再用刚玉微粉W1.5抛，用水晶作垫子。

4、BBO，微潮，磨砂用302#、302.5#。在铁盘或玻璃盘上磨。抛光用CeO2可抛好。晶

体易开裂，加工时及加工前后均应注意保持恒温。并要求选取无包裹的纯单晶加工，有方向要求。

BBO晶体较软，易划伤，抛光面不可与任合物擦拭。BBO晶体易潮解，抛光后置于红外灯下烘

干，然后置于密封干燥的容器中保存。

5、氟化钙（CaF2）B=Ⅲ，可用CeO2抛好。用302#、303#磨砂，用宝石粉抛亮后，改

用钻石粉水溶液抛光圈和道子。用宝石粉W1抛光很快，然后用W0.5抛光圈和道子。用聚胺

树脂作抛光模范，也可用宝石粉抛亮后用氧化铬抛光，胶盘用软胶盘，工件最好抛高光圈，但不

必高太多。

6、LBO材料硬度与K9相似，点胶上盘，如封蜡可用电烙铁直接封，研磨、抛光同K9玻璃

相似，用CeO2抛光。

7、氟锂锶锂：软晶体、易坏，B=Ⅱ，上盘用红外灯慢慢加热。在清洗时不可多擦表面，否则

易出道子。用氟化锂做保护片，W1.５刚玉粉抛亮后改用Ｗ０.５钻石微粉水溶液抛光。用CeO

2抛光也可抛好。（５００目）

8、KTP晶体：硬度和ＺＦ相差不多，用ＺＦ做保护片，进行抛光。ＫＤ＊Ｐ、ＫＴ＊Ｐ，用

软胶盘（一般用特殊配制的胶盘），也可用１＃（天较冷）２＃（天较热）号胶盘，抛光后用洗

砂倒边。ＫＤ＊Ｐ易潮解、易碎，抛光时温度、湿度要求较高。

9、双４５°ＬＮ电光Ｑ开关：双４５°ＬＮ电光Ｑ开关是一种利用ＬＮ晶体作材料加工成的斜

方棱镜，有六个加工面，其中四个面抛光，另两个面只须定向和研磨。在四个抛光面中，入射面、

出射面为晶体Ｙ晶面。入射面、出射面的夹角为４５°±１′，电极面为Ｘ晶面，须镀金。加工时

首先要确定Ｙ基准面，Ｘ、Ｙ晶面的衍射角为θ（１１０）＝１７°２４′和θ（３００）＝３１°

１２′。上盘用石膏模固定，配盘材料用ＬＮ或与ＬＮ相似的Ｋ９玻璃。加工时入射面、出射面

主要控制几何尺寸和平行度，技术要求：Ｎ＝１/４、Ｂ＝Ⅲ，θ≤１０〞。加工第一个４５°反

射面主要控制角度和塔差，第二个４５°反射面除控制零件的长度外，还要控制光线经过四个抛

光面反射后所反映出来的综合平行度。由于光线在晶体内部经过四次反射，因此测量综合平行度

只是分划板读数的１／４n（n为ＬＮ折射率）通常要求θ≤１０〞。ＬＮ电光Ｑ开关的两个４

饭疏食，饮水，曲肱而枕之，乐亦在其中矣。不义而富且贵，于我如浮云。——《论语》

５°反射面的粗糙程度的好坏与晶体抗激光损伤能力密切相关。ＬＮ属于铁电晶体，当抛光级剂

选用不当时会出现抛不亮或返毛现象，可通过选高熔点的抛光剂或在溶液中加入ＨＣＬ或肥皂粉，

如果仍不行须重新磨砂。

10、Mg2SiO4(镁橄榄石)晶体，莫氏硬度为7，抛光较难。

1、用聚胺树脂硬胶盘加Ｗ3.５、Ｗ2.５宝石研磨膏抛光，大约要5~6小时，一天左右可抛亮。

2、抛亮厚用Ｗ０.５钻石微粉水溶液改光圈。低光圈较难改。

11、SeZn晶体，软晶体。磨砂用302#、302.5#在玻璃盘上，抛光用软胶盘，先用