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isemptiedCCDCCD当一个CCD芯片感光完毕后。每个像素所转换的电荷包，就按照一行的方向转移出CCD感光区域。为下一次感光放空间。当一个像素聚集过多的电荷后，就会出现电荷溢出。溢出的电荷会跑到相临的像素势阱里去。这样电荷的电量就不能如实反映原物。也就是常说的blooming。要避免这种情况发生的方法：把桶做大些让雨早点停12345做个导流管，让溢出的水流到地上去，不要流到其他桶里。间歇地，把装满水的桶到出一些CCD对应的方法：1增大单位像素尺寸2缩短曝光时间缺点：对于暗的部分曝光不足3间歇开关时钟电压缺点：会降低速度4溢出沟道和溢出门缺点：制作复杂，且还有缺陷5所以，增大像素尺寸是最完善的做法。6CCDCCDCCD的电荷转移途径光电荷的转移途径有CCD表面沟道(SCCD)和体沟道(BCCD，也称埋沟道)两种方式。其中表面沟道CCD的电荷转移途径距离半导体-绝缘体分界面较近，工艺简单，动态范围大，但信号电荷的转移受表面态的影响，转移速度和转移效率较低，工作频率一般在10MHz以下。为了消除这些缺点，提高CCD的工作速度，用离子注入的方法改变转移沟道的结构，从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部，形成体内的转移沟道，避免表面态的影响，这就是体沟道CCD，其转移效率大大提高，工作频率达到100MHz，且能做成大规模集成器件。CCD当完成对光敏元阵列的扫描后，CCD将光电荷从光敏区域转移至屏蔽存储区域。而后，光电荷被按顺序转移至读出寄存器。CCD芯片中常用的输出方式包括电流输出、浮置扩散放大器输出和浮置栅放大器输出。电荷的输出CMOS：（ComplementaryMetal-OxideSemiconductor）互补性氧化金属半导体每个像元都有独立的节点，转换为电压信号，然后放大，经模数转换后形成数字信号。CMOSCMOS光电传感器工作时，p型硅衬底和源极接电源负极，漏极接电源正极。当没有光线照射时，源极和漏极之间无电流通路，输出节点无电压输出。当光线照射到金属铝上方放置的光敏元件上时，由于光子的激发，在源极和漏极之间的p型硅衬底上表面积累电荷，从而形成电流通路，在输出节点上产生电压。由于光生电荷的数量与光强度成正比，在输出节点产生的电压也与光强成正比。1CMOS的像元结构相比CCD更为复杂，其相对较小的光敏区域降低了整体的光敏特性，同时也降低了芯片的满阱容量。2电荷的产生CMOS***摄像头介绍

1摄像头原理2摄像头主要参数解读3CCD和CMOS区别4徕卡显微镜摄像头介绍摄像头原理摄像头原理：1被摄物体反射光线，传播到镜头，经镜头聚焦到图像传感器芯片上，传感器根据光的强弱积聚相应的电荷，经周期性放电，产生表示一幅幅画面的电信号，经过预中放大电路放大、自动增益控制，于由图像处理芯片处理的是数字信号，所以经模数转换到图像数字信号处理IC（DSP）。同步信号发生器主要产生同步时钟信号（由晶体振荡电路来完成），即产生垂直和水平的扫描驱动信号，到图像处理IC。然后，经数模转换电路通过输出端子输出一个标准的复合视频信号。简单说：摄像头就是通过光电效应，将光信号转换成电信号0102主要技术参数—像元像元（像素）：传感器的基本单位，由光电二极管（硅）构成，当硅被激发后发射电子，然后由控制电路将溢出的电子转化为数字信号。1.光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。2.光电二极管原理是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。3.像元的特性：像元产生的电信号的强弱和光电二极管吸收的光子数成正比，光子数与曝光时间和光的强度有关。单个像元的尺寸决定了像元到达饱和所需吸收的光子量。显微镜相机的像元尺寸在2--24um2，我们徕卡摄像头一般在2--4um2之间，是选用比较顶尖的传感器，例如MC190HD像素面积可以达到1.67×1.67μm2，传感器面积达到1/2.3英寸主要技术参数—分辨率分辨率：分辨图像能力，用以描述图像细节分辨程度。通常它是以横向和纵向像素点的数量来衡量的，表示成水平像素点数×垂直像素点数的形式。在一个固定的平面内，分辨率越