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浦东新区2024学年度第一学期期末教学质量检测
高三化学试卷
考生注意:
1.试卷满分100分,考试时间60分钟。
2.本考试分设试卷和答题纸。答题前,务必在答题纸上填写学校,姓名,座位号(考号),并将核对后的条形码贴在指定位置上。作答必须涂或写在答题纸上,在试卷上作答一律不得分。
3.本试卷标注“不定项”的选择题,每小题有1~2个正确选项,只有1个正确选项的,多选不给分,有2个正确选项的,漏选1个得一半分,错选不得分,未特别标注的选择题,每小题只有1个正确选项。
相对原子质量:C-12??Si-28
一,蚀刻工艺
1.蚀刻是半导体制造工艺中的重要步骤,其原理是通过物理或化学方法对材料(如,等)进行选择性的去除,蚀刻分为干法蚀刻和湿法蚀刻,和是干法蚀刻时常用的氯基气体。
(1)蚀刻铝时发生了和的反应,这说明具有___________。
A.酸性 B.可燃性 C.氧化性 D.漂白性
(2)蚀刻铝时的生成物之一可作净水剂,原因是它溶于水能形成胶体,下列关于胶体的认识,错误的是___________。
A.可以产生丁达尔现象 B.可以透过半透膜
C.胶体呈电中性 D.可以吸附水中的悬浮颗粒物
(3)已知硼是第2周期IIIA族的元素,下列关于硼的说法正确的是___________。
A.非金属性:硼碳 B.最高价氧化物对应水化物酸性:硼氯
C.原子半径:硼氮 D.最高正化合价:硼铝
(4)三甲基胺合三氯化硼(化学式为)在液晶领域的应用广泛。该化合物中提供空轨道形成配位键的原子是。
A.氢????????B.硼????????C.碳????????D.氮
三甲基胺的结构简式为,已知其中碳元素的化合价为-2价,从共用电子对偏移的角度解释原因。
(5)硝酸和氢氟酸是湿法蚀刻单晶硅的重要试剂。某次蚀刻中,产生了相同物质的量的和,配平此条件下的化学方程式:。
___________Si+___________HNO3+___________HF—H2SiF6+___________NO↑+___________NO2↑+___________H2O
若反应过程中转移了电子,则理论上可蚀刻。实际生产中,收集到的气体体积小于理论值,可能的原因有(任写一条)。
二,碳酸氢铵的制备和性质
我国化工专家侯德榜的“碳化法合成氨流程制碳酸氢铵”的工艺,曾被国家科委审定为重大发明。该反应的基本原理是:。
2.合成氨工业中使用的催化剂主要含有和,这两种化合物都___________。
A.是碱性氧化物 B.具有磁性
C.是红棕色固体 D.可被CO还原
3.下列关于合成氨工业的描述中,错误的是___________。
A.可用为原料制取 B.实际生产中维持氢氮比为2.8~2.9
C.合成塔中通过热交换器提高能效 D.通过溶于水的方法分离产生的
实验室为模拟生产,利用下图实验装置制备原料气体。
4.用该装置制备时,若中固体为大理石,中液体为稀盐酸,则反应的离子方程式为。为除去中混有的少量,可将混合气体通过盛有饱和溶液的洗气瓶。
A.????????B.????????C.????????D.
5.用该装置制备时,若中液体为浓氨水,中固体为生石灰,解释产生的原因。
为探究溶液与少量溶液反应时的原理,明确与,反应时,是否存在“先后”关系,进行如下探究。
常温下,取的溶液于锥形瓶中,向其中逐滴滴入的溶液,记录过程中溶液的变化,转换成溶液中,的浓度,结果如图1。
6.分析图1中数据,可以得出的实验结论有(任写两点)。
7.当时,测得溶液,此时混合体系中各离子浓度由大到小的顺序为。
8.若改用的溶液代替溶液完成上述实验,溶液中的离子浓度变化情况如图2所示,解释图2中和的变化曲线与图1存在差异的原因。
三,含碳的物质和材料
含碳的物质和材料广泛地应用于生产生活和科学研究中,人工合成金刚石的两种方法所涉反应如下:
①,②。
9.上述反应所涉及的元素中,第一电离能最小的是___________。
A.钠 B.碳 C.氯 D.氧
10.若碳原子核外电子排布有和两种状态,由状态到状态时能量。
A.升高????????B.降低????????C.不变
11.的电子式为。每个和分子中键的个数比为。
2024年《自然》
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