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练习一结点参数分析
练习二直流扫描分析
练习三工作点分析
练习四参数分析;练习一结点参数分析;实训内容
如图16-1所示电路,试求N1结点处的电压。
操作提示
(1)新建项目工程,添加原理图文件,绘制电路原理图,并放置网络标签N1。
放置直流电压源。在SimulationSources.IntLib库中找到VSRC,双击放置,按下Tab键打开如图16-2所示的元件属性对话框,在“General”选项区域设置元件标号及参数,如图16-2(a)所示。单击“Parameters”选项卡,在“Parameters”区域下列参数表中找到“Value”,在其后面输入“5V”,如图16-2(b)所示。;(2)求取N1点的电压,使用工作点分析。
①执行菜单命令“设计”→“仿真”→“MixedSim”,弹出如图16-3所示的参数分析设置对话框,在此进行仿真设置。;②在“AvailableSignals”中选中N1将其激活,如图16-3右边“ActiveSignals”选项框中所示。
③参数分析选择“OperatingPointAnalysis”项,在后面的选项框里打钩,其余不选,单击【OK】按钮,即得如图16-4所示的仿真结果。仿真文件的扩展名是“.sdf”。;练习二直流扫描分析;实训内容
对本实训练习一中的电路图进行直流扫描分析(DCSweepAnalysis)。求当直流电压源的电压从1V变化到15V时N1点的电压变化曲线。
操作提示
(1)打开原理图文件。
(2)执行菜单命令“设计”→“仿真”→“MixedSim”,在图16-3选中“DCSweepAnalysis”选项框。
(3)?DCSweepAnalyses设置。如图16-5所示,在“PrimarySource”右侧选中“V1”,在“PrimaryStart”右侧的“Value”中输入“1.000”,在“PrimaryStop”右侧的“Value”中输入“15.00”,在“PrimaryStep”右侧的“Value”中输入“1.000”。单击【OK】按钮,即得到如图16-6所示的仿真分析结果。;练习三工?作?点?分?析;实训内容
试求图16-7所示电路的静态工作点和当温度在0~100℃变化时的晶体管集电极电压。
操作提示
1.求静态工作点
使用工作点分析(OperatingPointAnalysis)求静态工作点的操作步骤如下:
(1)在项目工程中添加新的原理图文件,绘制如图16-7所示的晶体管集电极电压分析电路。
(2)执行菜单命令“设计”→“仿真”→“MixedSim”,在图16-8的“GeneralSetup”选项卡中选???“Q1[ib]”“Q1[ic]”“Q1[ie]”“VB”“VC”“VE”并将其激活,选中“OperatingPointAnalysis”。;(3)单击图16-8中的【OK】按钮,完成静态工作分析,如图16-9所示。图中显示电路中各结点电压及支路电流。;2.温度扫描
(1)返回图16-8中,并同时选中“OperatingPointAnalysis”和“TemperatureSweep”选项,并设置扫描参数,如图16-10所示。
(2)单击图16-10中的【OK】按钮,完成温度扫描分析,其结果如图16-11所示。从图中可以看出每一步温度扫描引起的静态工作点的变化。例如:晶体管集电极VC的电压在温度为100℃时,其值是6.433V。
;练习四参数分析;实训内容
使用参数分析,求图16-7所示电路的集电极电阻R3为1kΩ、2kΩ、3kΩ、4kΩ、5kΩ、6kΩ时的集电极电压。
操作提示
(1)在图16-8所示的【GeneralSetup】选项下,激活VC,并选中“OperatingPointAnalysis”“DCSweepAnalysis”和“ParameterSweep”选项。
(2)进行参数分析设置。在“ParameterSweep”选项卡中选择R3,设置“PrimaryStartValue”为“1.000k”,“PrimaryStopValue”为“6.000k”,“PrimaryStepValue”为“1.000k”,如图16-12所示。;(3)单击【OK】按钮,其分析结果如图16-13所示。
(4)直流分析设置。选中“DCSweepAnalysis”选项,在“PrimarySource”中选中“V1”,“PrimaryStart”右侧的“Value”中输入“0.000”,“PrimaryStop”右侧的“Value”中输入“12.00”,“PrimaryStep”
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