2025年碳化硅器件及其制备方法和半导体器件.pdfVIP

博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CNA

202520257

(43)申请公布日2025.07.16

(21)申请号CN202520252025.0

(22)申请日2019.12.30

(71)申请人比亚迪半导体股份有限公司

地址518119广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号

(72)发明人朱辉肖秀光

(74)专利代理机构44325深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)

代理人张美君

(51)Int.CI

H01L29/78

H01L29/06

H01L21/04

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

碳化硅器件及其制备方法和半导体

器件

(57)摘要

本发明提供了碳化硅器件及其制备

方法和半导体器件，该碳化硅器件包括：

衬底；漂移区，漂移区设在衬底的上方；

阱区，阱区设在漂移区的上方；接触区，

接触区设在阱区的上方；源极，源极设在

老当益壮，宁移白首之心；穷且益坚，不坠青云之志。——唐·王勃

阱区的上方，且位于接触区的内侧；掺杂

薄层，掺杂薄层设在阱区和漂移区的上

方，且位于源极的内侧，掺杂薄层包括至

少一个n型掺杂区和至少一个p型掺杂

区。该碳化硅器件具有较小的导通电阻和

漏电流，同时该碳化硅器件具有较高的应

用可靠性。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2021-11-05实质审查的生效实质审查的生效

2021-07-16公开公开

2023-01-13授权发明专利权授予

学而不知道，与不学同；知而不能行，与不知同。——黄睎

权利要求说明书

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太上有立德，其次有立功，其次有立言，虽久不废，此谓不朽。——《左传》

说明书

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