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《GaN-AlGaN多量子阱薄膜微结构与光电性能研究》

GaN-AlGaN多量子阱薄膜微结构与光电性能研究摘要：

本篇论文着重探讨GaN/AlGaN多量子阱薄膜的微结构及其与光电性能之间的关系。通过先进的材料制备技术和细致的表征手段，我们深入研究了该薄膜的晶体结构、能带结构以及光电器件性能。本文首先介绍了GaN/AlGaN多量子阱薄膜的研究背景和意义，接着阐述了实验方法与实验材料，之后详细讨论了实验结果与数据分析，最后对研究进行了总结与展望。

一、引言

GaN和AlGaN材料因其在高功率、高频率、蓝光等光电子领域的重要应用前景，吸引了广大研究者的关注。特别是基于这些材料的量子阱结构，因其具有优