【浦银国际-2025研报】美商务部半导体出口管制新规解读：进一步巩固美先进算力芯片领先地位.pdfVIP

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美商务部半导体出口管制新规解读：

浦

沈岱

银

进一步巩固美先进算力芯片领先地位首席科技分析师

国

tony_shen@

(852)28086435

际

当地时间1月15日，美国商务部再次发布新的出口管制条例，旨

在维护其先进集成电路芯片（IC）的领导地位，保障国家安全，协马智焱

助晶圆制造和封测（OSAT）两个行业的公司遵循相关管制条例。科技分析师

ivy_ma@

本次出口措施的更新主要有四个重点变化：(852)28090300

行

首先，美政府授权了33家半导体设计大厂，包括英伟达、博通、黄佳琦

AMD等。这些授权大厂可以豁免管制，其先进逻辑芯片可以在晶圆科技分析师业

制造厂和封测厂生产。sia_huang@追

踪

(852)28090355

其次，非美政府授权的半导体设计公司则要获得许可才能使用

16/14nm及以下制程，或者采用FinFET结构的芯片。豁免管制的条2025年1月17日

件为：

第一条：a.前道晶圆制造厂地点不在澳门和D:5武器禁运国家

及地区（中国、俄罗斯、伊朗、朝鲜）。b.封装后的芯片晶体管

数量小于300亿颗且不含HBM。c.2027年完成的芯片晶体管数

量小于350亿颗，或2029年完成的小于400亿颗。

第二条：a.经美政府授权的22家封装厂（OSAT）封装的，包括

日月光、安靠等。b.封装后晶体管数量小于300亿颗，且不含

HBM。c.2027年完成封装后的晶体管小于350亿颗，或2029年

完成小于400亿颗。

再次，更新了存储DRAM的管制范围。将18nm半间距DRAM的标

准单元面积整为0.0026平方微米，相关存储密度调整为0.20Gb/平美

方毫米。每颗DRAM裸片包含的TSV通孔超过3000个。商