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《半导体器件工艺》教学大纲
课程编号英文名称:ProcessofSemiconductorDevices
学分:2
学时:总学时32学时,,其中理论32学时,实践0学时
先修课程:固体物理、半导体物理
课程类别:专业拓展课程
授课对象:新能源材料与器件专业学生
教学单位:数理信息学院
修读学期:第6学期
一、课程描述和目标
本课程为新能源材料与器件专业拓展课程,从基本物理概念出发,结合当前半导体工艺的必威体育精装版发展,系统介绍半导体制造所涉及的基本单项工艺及工艺集成技术,使学生了解硅基集成电路及半导体器件的制造方法,具有硅基集成电路及半导体器件的制造能力。
本课程拟达到的课程目标:通过本课程的学习,使学生了解包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入、扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等集成电路基本单项工艺,以及如何将这些单项工艺集成为各种常见的集成电路工艺技术工艺,如CMOS技术、双极型技术,具备硅基集成电路及半导体器件的基本制造能力。
课程目标1:使学生全面理解硅基半导体器件制造各单项工艺的基本原理,了解CMOS技术、双极型技术等基本半导体工艺流程。
课程目标2:使学生掌握半导体器件的制造方法,具有基本的硅半导体器件制造及分析能力。
课程目标3:使学生增强对半导体器件技术发展的整体认识,了解新型半导体器件及集成电路制造工艺的发展方向。
课程目标4:使学生了解半导体器件工艺技术对经济及环境的影响以及我国半导体产业在国际上的地位和作用,培养国家自信和爱国情怀。
二、课程目标对毕业要求的支撑关系
毕业要求指标点
课程目标
权重
指标点1-1.能将数学、自然科学、工程科学的语言工具用于新能源材料与器件问题的表述;
课程目标1
H
指标点2-3.能够运用材料工程的原理、技术和方法,通过综合文献研究,分析新能源材料与器件方面的问题,并得到有效结论。
课程目标2
M
指标点3-3.能够在新能源材料与器件复杂工程问题的设计和开发中体现社会、健康、安全、法律、文化以及环境等因素,以优化设计方案。
课程目标3
H
指标点6-2:熟悉与新能源材料与器件工程相关的技术标准、知识产权、产业政策和法律法规;
课程目标4
M
三、教学内容、基本要求与学时分配
序号
教学内容
基本要求及重、难点(含德育要求)
学时
教学方式
对应课程目标
1
介绍发展集成电路制造技术的必要性,发展历史,晶体生长技术(直拉法、区熔法),硅圆片制备方法及规格。
了解发展集成电路制造技术、发展历史,掌握晶体生长技术(直拉法、区熔法),硅圆片制备方法及规格。
重、难点:晶体生长技术(直拉法、区熔法)。
德育元素:培养学生的科学素养与人文精神。
2
集中讲授
课程目标1、2、3、4
2
介绍超净环境与超净间,硅片的粘污类型,粘污源与控制,硅片的湿法清洗工艺。
了解超净环境与超净间,硅片的粘污类型,粘污源与控制,硅片的湿法清洗工艺。理解微电子行业与环境保护的关系。
重、难点:硅片的湿法清洗工艺。
德育元素:培养学生的科学严谨的学习态度。
3
集中讲授
课程目标1、2、4
3
介绍SiO2结构及性质及在IC工艺中的应用,硅的热氧化方法,影响氧化速率的因素,氧化缺陷和界面电荷。
了解SiO2结构及性质,掌握硅的热氧化方法,熟悉影响氧化速率的因素,氧化缺陷,掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算,SiO2薄膜厚度的测量。
重、难点:SiO2结构及性质,掌握硅的热氧化方法。
德育元素:培养学生的科学严谨的学习态度。
2
集中讲授
课程目标1、2
4
介绍掺杂工艺在集成电路制造中的作用,杂质扩散机理,扩散系数和扩散方程,常用扩散工艺及系统设备。
掌握杂质扩散机理,扩散系数和扩散方程,熟悉扩散杂质分布及扩散结果测量,了解常用扩散工艺及系统设备。
重、难点:杂质扩散机理,扩散系数和扩散方程。
德育元素:培养学生的科学严谨的学习态度。
3
集中讲授、小组讨论
课程目标1、2
5
介绍离子注入的原理,离子注入系统组成,离子注入掺杂的浓度分布,注入损伤和退火,离子注入特点及应用。
掌握离子注入系统组成,浓度分布,注入损伤和退火,了解离子注入的原理、特点及应用。
重、难点:离子注入杂质浓度分布,注入损伤和退火。
德育元素:培养学生的团队协作意识。
3
集中讲授、小组讨论
课程目标1、2
6
介绍真空的基本知识,真空的获得及测量方法,真空蒸发镀膜法、溅射镀膜法及分子束外延镀膜法的原理、设备及应用。
了解真空的基本知识,熟悉真空的获得及测量方法,掌握真空蒸发镀膜法、溅射镀膜法及分子束外延镀膜法的原理、设备及应用。了解形貌及台阶覆盖问题的解决。
重、难点:真空蒸发镀膜法、溅射镀膜法的原理。
德育元素:培养学生的独立思考能力。
3
集中讲授
课程目标1
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