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《基于GaN的高频改进型SEPIC变换器拓扑族及其关键技术研究》

一、引言

随着电力电子技术的不断发展，高频开关电源技术已成为现代电力系统的关键技术之一。SEPIC（单端初级电感转换器）变换器作为一种高效、稳定的直流电源变换器，被广泛应用于电力电子系统中。然而，传统的SEPIC变换器在高频工作状态下，由于功率损耗和效率等问题，已经难以满足现代电力系统的需求。因此，研究基于新型材料和技术的改进型SEPIC变换器拓扑族及其关键技术显得尤为重要。本文以基于GaN（氮化镓）的高频改进型SEPIC变换器为研究对象，深入探讨其拓扑结构和关键技术。

二、GaN材料及其在电力电子中的应用

GaN作为一种新型的