光伏用半片单晶硅片及编制说明.pdf

ICS29.045

CCSH82

团体标准

T/CNIAXXXX—XXXX

光伏用半片硅单晶片

HalfMono-crystallineSiliconWafersforPVApplication

（送审稿）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中国有色金属工业协会

发布

中国有色金属学会

T/CNIAXXXX-XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导儙第1部儆：标准化文件的结构和起艉规儙》的规定起

艉。

请注意本文件的某些内容可能涉及专儩。本文件的发布机构不承担识儫专儩的责任。

本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC203）、全国半导体设备和材料标准化技术委

员会材料儆技术委员会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。

本文件起艉单位：常州时儛能源股份有限公司、歟苏协鑫硅材料科技发展有限公司、隆基绿能科

技股份有限公司、中环协鑫光伏材料有限公司。

本文件主要起艉人：宫龙飞、潘维、符黎明等。

I

T/CNIAXXXX-XXXX

光伏用半片硅单晶片

1范围

本文件规定了光伏用半片硅单晶片的牌号及儆类、技术要歂、试验方法、检验规儙、标志、包装、

运输、贮存、质量证明书和订货单内容。

本文件适用于由直拉法硅单晶冠工成的半片硅单晶片，产品用于儶作太阳能电歠的基底材料。

2规范性引用文件

下儗文件中的内容通过文中的规舃性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻率测定方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1-2012计数抽样检验程序第1部儆：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计儒

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T14264半导体材